產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
- 豐富的Nexperia公司產(chǎn)品，Nexperia芯片采購平臺
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PMDT290UNE,115 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：PMDT290UNE,115
- 制造商：Nexperia（安世半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：800mA
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：380 毫歐 @ 500mA，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.68nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：83pF @ 10V
- 功率-最大值：500mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
- PMDT290UNE,115優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Nexperia芯片采購服務(wù)平臺。
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