
- 制造廠商:Nexperia(安世半導體)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
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PHKD13N03LT,518 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:PHKD13N03LT,518
- 制造商:Nexperia(安世半導體)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列:TrenchMOS?
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:2 N-通道(雙)
- FET功能:邏輯電平門
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):10.4A
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):20 毫歐 @ 8A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10.7nC @ 5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):752pF @ 15V
- 功率-最大值:3.57W
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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