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高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)全球電力產(chǎn)品和電動汽車充電站供應(yīng)商飛宏宣布(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD該公司采用氮化鎵技術(shù)。采用這種適配器Transphorm的SuperGaN第四代技術(shù)是氮化鎵場效應(yīng)管(FET)平臺具有系統(tǒng)設(shè)計簡單、元件數(shù)量少、性能高、可靠性一流等優(yōu)點。

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飛宏的65W51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A)，三臺設(shè)備可同時充電。該充電器采用單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，采用準諧振反激模式(QRF)與拓撲結(jié)構(gòu)的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達655W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是240毫歐，通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結(jié)構(gòu)150W或以下低功率應(yīng)用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓(最大±18 V）。無負偏置電壓，可與現(xiàn)成的控制器(包括帶集成驅(qū)動器的控制器)配合使用。這些功能可以簡化電源系統(tǒng)的設(shè)計，消除對額外外圍電路的需求，減少元件數(shù)量，增加整個系統(tǒng)的可靠性，飛宏決定使用Transphorm FET關(guān)鍵原因。

飛宏生產(chǎn)各種可靠的電源解決方案，深受電子設(shè)備公司的信賴。公司對氮化鎵功率密度優(yōu)勢的理解使其決定建立一個新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化ISSI代理鎵FET它具有簡單的設(shè)計性和驅(qū)動性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為氮化鎵器件的合作伙伴。

根據(jù)Facts and Factors預(yù)計到2026年，全球交流轉(zhuǎn)直流適配器市場規(guī)模將達到18.54億美元，年復(fù)合增長率為12.7%。Transphorm最近在5月份的報告中也表示，其240毫歐器件的發(fā)展勢頭正在加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領(lǐng)先WW電子零售商(140W)項目的ODM預(yù)生產(chǎn)訂單。此外，該公司的市場份額增長也得益于另一個筆記本適配器設(shè)計項目，成功贏得了財富前100強企業(yè)，其中包括5萬個SuperGaN 240毫歐FET初始采購訂單。這些FET可以為65W快速充電適配器應(yīng)用程序提供更高的效率，競爭對手e-mode氮化鎵FET需要更大的150毫歐裝置來滿足類似應(yīng)用程序的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN FET使客戶能夠使用更小的設(shè)備來實現(xiàn)更強的性能。

Transphorm亞太銷售副總裁Kenny Yim說：我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞可靠性、可設(shè)計性、可驅(qū)動性和可重復(fù)性四個關(guān)鍵原則構(gòu)建。我們的240毫歐裝置也不例外。我們讓適配器制造商設(shè)計體積小、重量輕、發(fā)熱少的產(chǎn)品，并提供先進的前沿USB充電功能。這些創(chuàng)新正在促進氮化鎵在全球適配器市場的應(yīng)用，使我們能夠通過大規(guī)模生產(chǎn)來支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位。”

TP65H300G4LSG目前過得捷電子和貿(mào)澤電子獲得。

關(guān)于飛宏

飛宏是開發(fā)世界級電源解決方案和電動汽車充電產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者。他有50多年的成熟經(jīng)驗，年收入超過6億美元。公司繼續(xù)為電動汽車和醫(yī)療、數(shù)據(jù)通信、電信、個人電子設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)市場充電OEM制造商提供領(lǐng)先的解決方案。飛宏擁有6500多名員工，在加州、紐約、荷蘭、中國大陸、日本、越南和臺灣設(shè)有設(shè)計實驗室、生產(chǎn)設(shè)施和銷售支持中心。

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.它是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、制造和銷售。Transphorm擁有最大功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，擁有或授權(quán)的專利超過1000項，率先在業(yè)內(nèi)生產(chǎn)JEDEC和AEC-Q高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件101認證。由于業(yè)務(wù)模式的垂直整合，Transphorm設(shè)計、制造、設(shè)備和應(yīng)用支持可以在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的各個階段進行創(chuàng)新。Transphorm為了使效率超過99%，提高功率密度40%，降低系統(tǒng)成本，創(chuàng)新正在突破硅的局限性。Transphorm總部位于加州戈利塔，在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。