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3nm彎道超車臺(tái)積電后三星2nm工藝蓄勢(shì)待發(fā)：3年后量產(chǎn)

（2024年11月23日更新）

三星在6月的最后一天宣布3nm該工藝正式量產(chǎn)。這一次，三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電，率先量產(chǎn)新一代工藝，彎道超車，后者3nm量產(chǎn)將于今年下半年進(jìn)行。

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據(jù)三星官方介紹，3nm在芯片上，它放棄了以前的芯片F(xiàn)inFET采用新的架構(gòu)GAA晶體管架構(gòu)大大提高了芯片的功耗性能。

與5nm新開發(fā)的3nm GAE該工藝可降低功耗45%，面積16%，性能23%。

第二代的3nm GAP該工藝可降低50%的功耗，提高30%的性能，同時(shí)減少35%的面積，效果更好。

以后呢？三星也有計(jì)劃，3nm GAP過(guò)程結(jié)束后將迎來(lái)2nm GAP工藝也是基于納米片技術(shù)的GAA晶體管，但結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，從3個(gè)納米片提升到4個(gè)，可提高驅(qū)動(dòng)電流，優(yōu)化堆疊結(jié)構(gòu)，提高性能，降低功耗。

2nm GAP工藝量產(chǎn)時(shí)間也定了，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)，時(shí)間Megawin代理間點(diǎn)與臺(tái)積電量產(chǎn)2nm工藝差不多，由于臺(tái)積電的2nm在晶體管密度上擠壓牙膏的過(guò)程只有10%。