貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各種電源應用提供更好的支持
（2025年3月29日更新）
引進業(yè)內(nèi)知名新產(chǎn)品，提供超豐富的半導體和電子元件 (NPI) 經(jīng)銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷從現(xiàn)在開始UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為的高性能SiC FET該系列產(chǎn)品，第四代設備具有優(yōu)異的導電阻特性，適用于主流800V電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。
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貿(mào)澤電子分銷UF4C/SC SiC FET為設計師提供多種導電阻和包裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L包裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L開爾文柵極包裝，具有超低柵極電荷和優(yōu)異的反向恢復特性，Bourns代理非常適合開關感性負載和任何需要標準格柵極驅(qū)動的應用。
UF4C/SC所有系列設備均可使用標準0V至12V或15V柵極驅(qū)動電壓安全驅(qū)動，在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下成為硅IGBT、FET或適當替代超級結裝置。UF4C/SC SiC FET其他主要特征包括：通過真實的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容量，出色的反向恢復特性和內(nèi)置特性ESD柵極保護鉗位。
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產(chǎn)品與應用：
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