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眾所周知，三星在3nm使用芯片GAAFET與晶體管技術(shù)相比，這是相對(duì)的FinFET晶體管技術(shù)更先進(jìn)。

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GAAFET為什么晶體管技術(shù)更先進(jìn)？GAAFET提供比FinFET在相同尺寸的結(jié)構(gòu)下，靜電特性更好，GAA 強(qiáng)化溝道控制能力，可進(jìn)一步微縮尺寸，降低電壓。

這就使得GAAFET晶體管密度高，電壓低，性能強(qiáng)，功耗低。

雖然目前在3nm三星在技術(shù)上使用GAAFET使用臺(tái)積電的技術(shù)FinFET技術(shù)，但到2nm無論是臺(tái)積電，還是三星，還是intel都會(huì)使用GAAFET技術(shù)，因?yàn)镕inFET技術(shù)不能再微縮，無法實(shí)現(xiàn)2nm。

可以說，只要卡住GAAFET晶體管技術(shù)相當(dāng)于卡住2nm芯片技術(shù)。

最近，外媒Protocol美國已經(jīng)準(zhǔn)備好設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的特定類型EDA軟件實(shí)施新的出口限制。

據(jù)報(bào)道，美國計(jì)劃將其用于Gate-all-around(環(huán)繞柵極，GAA）制造芯片所需的新技術(shù)EDA列入禁止出口清單的軟件不得出售給中國大陸。

過去，美國主要針對(duì)芯片制造業(yè)，即不允許向中國大陸銷售先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備，如EUV光刻機(jī)等。

現(xiàn)在要禁止EDA工具意味著不僅是晶圓制造商，還有芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，因?yàn)闆]有EDA在這種情況下，再牛的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，也無法設(shè)計(jì)芯片。

而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西門子EDA這三大巨頭壟斷，尤其是先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具。

而國產(chǎn)EDA，一方面支持的技術(shù)不夠先進(jìn)，另一方面流程不夠完整，所以這三大巨頭在國內(nèi)市場(chǎng)也占90%。

一旦用于GAAFET芯片技術(shù)的EDA被禁意味著國內(nèi)晶圓制造不僅不能進(jìn)入2nm，除非是國產(chǎn)的，否則連設(shè)計(jì)都卡住了。EDA跟上，能夠支持GAAFET技術(shù)。