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三星GAA架構(gòu)3納米領(lǐng)先量產(chǎn)

（2025年4月2日更新）

6月30日，韓國三星電子正式宣布新一代環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構(gòu)的3nm該工藝已進(jìn)入量產(chǎn)階段，被稱為世界上第一個(gè)3nm進(jìn)入生產(chǎn)生產(chǎn)廠，但市場預(yù)計(jì)三星的產(chǎn)能規(guī)模仍無法趕上競爭對(duì)手臺(tái)積電。臺(tái)積電仍保持3奈米下半年進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)期。據(jù)業(yè)界估計(jì)，第四季度的投資規(guī)模預(yù)計(jì)將超過1000件，包括高通、蘋果和英特爾。

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三星宣布量產(chǎn)GAA架構(gòu)3nm該過程尚未公布首發(fā)客戶和生產(chǎn)能力計(jì)劃。外部電力報(bào)告客戶包括上海盤硅半導(dǎo)體和中國虛擬貨幣挖掘機(jī)芯片廠手機(jī)芯片廠高通，但高通將根據(jù)情況投影。三星指出，3nm采用多橋通道場效晶體管（MBCFET）的GAA專利技術(shù)突破鰭場效晶體管（FinFET）架構(gòu)性能有限，能以更高的效率和更小的芯片尺寸實(shí)現(xiàn)更好的功耗性能。

三星指出，和5nm與該工藝相比，第一代3奈米工藝可以縮小芯片尺寸面積16%，性能提高23%，功耗降低45%。至于第二代3nm芯片尺寸35%，性能30%，功耗50%，預(yù)計(jì)2023年Taitien代理三星2nm會(huì)延續(xù)采用MBCFET預(yù)計(jì)2025年技術(shù)量產(chǎn)。

但三星在2021年晶圓代工論壇上指出，與5奈米相比，GAA架構(gòu)3nm工藝在功耗、性能和面積（PPA）優(yōu)化效益與第二代3奈米工藝相同。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星宣布量產(chǎn)的第一代3奈米應(yīng)該還沒有達(dá)到預(yù)期的工藝微縮目標(biāo)，2023年量產(chǎn)的第二代3奈米可以算是真正完整的版本。

臺(tái)積電3nm雖然延續(xù)FinFET結(jié)構(gòu)，2022年下半年量產(chǎn)預(yù)期不變，3nmN3.當(dāng)工藝推出時(shí)，它將是業(yè)界最先進(jìn)的工藝技術(shù)，擁有最好的PPA晶體管技術(shù)。與上一代5奈米相比N5制程，N3.工藝邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下提高10~15%，或在相同速度下降低25~30%，提供支持智能手機(jī)和高效操作的完整平臺(tái)（HPC）應(yīng)用。