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應(yīng)用材料公司利用技術(shù)幫助極紫外線和三維環(huán)繞柵極晶體管實(shí)現(xiàn)二維微縮
(2025年4月2日更新)


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● 公司使用應(yīng)用材料 StensarCVD取代旋轉(zhuǎn)涂層,擴(kuò)展二維極紫外線邏輯微縮

● 三維環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)極晶體管技術(shù)產(chǎn)品組合包括兩種新型IMS系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司旨在幫助客戶使用極紫外線(EUV)繼續(xù)推進(jìn)多項(xiàng)二維微縮創(chuàng)新技術(shù),詳細(xì)介紹了下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。

環(huán)繞柵極(GAA)自2010年起,晶體管將成為2010年FinFETs材料工程的創(chuàng)新是芯片行業(yè)最大的設(shè)計(jì)型之一GAA晶體管提供了功率和性能的提高

芯片制造商正在尋求兩條互補(bǔ)的道路,以提高未來幾年晶體管的密度。一是延續(xù)傳統(tǒng)摩爾定律的二維微縮,即使用 EUV光刻和材料工程創(chuàng)造了更小的特性。另一種是設(shè)計(jì)技術(shù)的協(xié)同優(yōu)化(DTCO)以及三維技能,巧妙地優(yōu)化了邏輯單元的布局,以便在不改變光刻柵距的情況下增加密度。后一種方法包括后連線和環(huán)繞柵極(GAA)即使面對傳統(tǒng)二維微縮的放緩,晶體管仍將有效地促進(jìn)未來幾年邏輯密度的持續(xù)增長。通過這些技術(shù)的有機(jī)結(jié)合,可以幫助芯片制造商完成未來邏輯芯片的迭代演變,實(shí)現(xiàn)功率、性能、面積、成本和上市時間(即 PPACt)同步改進(jìn)。

半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁珀拉布?拉賈博士說:應(yīng)用材料公司的核心戰(zhàn)略是成為客戶PPACt依托我們現(xiàn)有的七大創(chuàng)新,賦予企業(yè)權(quán)力,支持客戶利用EUV繼續(xù)推進(jìn)二維微縮。同時,我們也詳細(xì)介紹了它GAA晶體管的顛覆性制造方法與今天相比FinFET晶體管完全不同。不僅如此,應(yīng)用材料公司已經(jīng)準(zhǔn)備好覆蓋最廣泛的領(lǐng)域GAA制造產(chǎn)品線包括新的生產(chǎn)步驟,包括外延生長、原子層沉積和選擇性材料蝕刻,以及兩制造理想GAA氧化柵極和金屬柵極的集成材料解決方案(Integrated Materials Solutions)。”

擴(kuò)展二維微縮

極紫外光(EUV)光刻的出現(xiàn)使芯片制造商產(chǎn)生更小的特性,并增加晶體管的密度。但該行業(yè)的現(xiàn)狀是:繼續(xù)使用EUV微縮有許多困難,迫切需要新的沉積、蝕刻和測量方法。

完成EUV光刻膠顯影后,芯片圖形需要通過一系列稱為過渡層和硬掩模的中間層進(jìn)行刻蝕,然后最終刻蝕到晶圓上。到目前為止,這些中間層都是用旋涂技術(shù)沉積的。今天,應(yīng)用材料公司推出使用該公司Precision化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)適用于沉積EUV的 Stensar先進(jìn)的圖形涂層(Stensar Advanced Patterning Film for EUV)。與旋涂沉積相比,應(yīng)用材料公司CVD膜可以幫助客戶正確EUV微調(diào)硬掩模層,使其達(dá)到特定厚度和刻蝕彈性,從而在整個晶圓上EUV圖形傳輸達(dá)到接近完美的均勻性。

應(yīng)用材料公司也詳細(xì)說明了它Sym3Y蝕刻系統(tǒng)的特殊功能是允許客戶在同一反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行材料蝕刻和沉積,從而首先改進(jìn)EUV在晶圓上刻蝕圖形。Sym3輕移除反應(yīng)腔EUV光刻膠材料,然后以特殊方式重新沉積材料,使圖形均勻,從而消除隨機(jī)誤差造成的圖形易變性。改善后的EUV圖形可以提高良率,降低芯片功耗,提高其性能。因此,位居DRAM市場上主要供應(yīng)商位置的導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)應(yīng)用材料公司正依靠其Sym3技術(shù)的快速發(fā)展將客戶群從存儲器擴(kuò)展到晶圓代工廠/邏輯芯片。

應(yīng)用材料公司還展示了如何使用它PROVisioneBeam深入觀察多層芯片內(nèi)部的測量技術(shù),準(zhǔn)確測量整個晶圓EUV圖形特征幫助客戶解決其他測量技能可能無法診斷的邊緣布局錯誤。2021年,應(yīng)用材料公司電子束系統(tǒng)的收入幾乎翻了一番,使其躍居電子束技術(shù)供應(yīng)商榜首。

三維環(huán)繞式柵極晶體管工藝設(shè)計(jì)

新興的GAA如何利用三維設(shè)計(jì)技巧和維設(shè)計(jì)技巧和DTCO布局創(chuàng)新可以補(bǔ)充二維微縮。即使二維微縮速度放緩,邏輯密度也能迅速提高。材料工程領(lǐng)域的創(chuàng)新也有助于GAA降低功耗,提高晶體管性能。

在FinFET在中間,構(gòu)成晶體管電子路徑的垂直由光刻和蝕刻形成,導(dǎo)致通道寬度不均勻。這種不均勻性會對功耗和性能產(chǎn)生不利影響,這也是客戶的轉(zhuǎn)移GAA另一個主要原因。

GAA晶體管看起來像FinFET晶體管旋轉(zhuǎn)90度,從垂直到水平。GAA通過使用外延進(jìn)行溝通Memsic代理該技術(shù)使客戶能夠準(zhǔn)確設(shè)計(jì)寬度,實(shí)現(xiàn)寬度均勻,從而獲得最佳的功耗和性能。延伸生長系統(tǒng)正是應(yīng)用材料公司的第一個產(chǎn)品,從此成為市場領(lǐng)導(dǎo)者。應(yīng)用材料公司于2016年發(fā)布Selectra該系統(tǒng)率先采用選擇性材料蝕刻技術(shù),目前已為客戶提供1000多個反應(yīng)腔,并處于市場領(lǐng)先地位。

GAA晶體管的主要制造挑戰(zhàn)是溝間距只有10納米左右。在如此小的空間內(nèi),客戶必須在所有溝周圍堆積多層氧化柵極和金屬柵極。

應(yīng)用材料公司專門為氧化柵極堆疊開發(fā)IMS(集成材料解決方案)系統(tǒng)增加了驅(qū)動電流,提高了晶體管的性能。但氧化柵極越薄,漏電流越高,造成功耗浪費(fèi)和發(fā)熱。全新的應(yīng)用材料公司IMS系統(tǒng)將等效氧化層厚度降低1.5埃,使設(shè)計(jì)師在保持性能不變的前提下,將網(wǎng)極漏電流降低到原來的十分之一。它沉積了原子層(ALD)、將熱處理步驟、等離子體處理步驟和測量集成到單個高真空系統(tǒng)中。

應(yīng)用材料公司也展示了它IMS該系統(tǒng)用于系統(tǒng)GAA金屬格柵極的過程支持客戶通過調(diào)整格柵極的厚度來微調(diào)晶體管的閾值電壓,以滿足從電池供電移動設(shè)備到高性能服務(wù)器的各種特定計(jì)算和應(yīng)用的每瓦特功耗性能目標(biāo)。可在高真空環(huán)境中實(shí)施高精度金屬原子層沉積步驟,防止空氣污染。

在4月21日舉行的全新微縮之旅大師班上,應(yīng)用材料公司提供了更多關(guān)于其邏輯微縮解決方案的細(xì)節(jié)。

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