国产精品久久精品牛牛影视-国产精品久久精品视-国产精品久久九九-国产精品久久久-国产精品久久久99

芯片采購網專注于整合國內外授權IC代理商現貨資源，芯片庫存實時查詢，行業價格合理，采購方便IC芯片，國內專業芯片采購平臺。

● 公司使用應用材料 StensarCVD取代旋轉涂層，擴展二維極紫外線邏輯微縮

● 三維環繞柵極晶體管技術極晶體管技術產品組合包括兩種新型IMS系統

應用材料公司旨在幫助客戶使用極紫外線（EUV）繼續推進多項二維微縮創新技術，詳細介紹了下一代三維環繞柵極晶體管制造技術的產品組合。

環繞柵極（GAA）自2010年起，晶體管將成為2010年FinFETs材料工程的創新是芯片行業最大的設計型之一GAA晶體管提供了功率和性能的提高

芯片制造商正在尋求兩條互補的道路，以提高未來幾年晶體管的密度。一是延續傳統摩爾定律的二維微縮，即使用 EUV光刻和材料工程創造了更小的特性。另一種是設計技術的協同優化（DTCO）以及三維技能，巧妙地優化了邏輯單元的布局，以便在不改變光刻柵距的情況下增加密度。后一種方法包括后連線和環繞柵極（GAA）即使面對傳統二維微縮的放緩，晶體管仍將有效地促進未來幾年邏輯密度的持續增長。通過這些技術的有機結合，可以幫助芯片制造商完成未來邏輯芯片的迭代演變，實現功率、性能、面積、成本和上市時間(即 PPACt）同步改進。

半導體產品事業部高級副總裁珀拉布?拉賈博士說：應用材料公司的核心戰略是成為客戶PPACt依托我們現有的七大創新，賦予企業權力，支持客戶利用EUV繼續推進二維微縮。同時，我們也詳細介紹了它GAA晶體管的顛覆性制造方法與今天相比FinFET晶體管完全不同。不僅如此，應用材料公司已經準備好覆蓋最廣泛的領域GAA制造產品線包括新的生產步驟，包括外延生長、原子層沉積和選擇性材料蝕刻，以及兩制造理想GAA氧化柵極和金屬柵極的集成材料解決方案（Integrated Materials Solutions）。”

擴展二維微縮

極紫外光（EUV）光刻的出現使芯片制造商產生更小的特性，并增加晶體管的密度。但該行業的現狀是：繼續使用EUV微縮有許多困難，迫切需要新的沉積、蝕刻和測量方法。

完成EUV光刻膠顯影后，芯片圖形需要通過一系列稱為過渡層和硬掩模的中間層進行刻蝕，然后最終刻蝕到晶圓上。到目前為止，這些中間層都是用旋涂技術沉積的。今天，應用材料公司推出使用該公司Precision化學氣相沉積系統適用于沉積EUV的 Stensar先進的圖形涂層（Stensar Advanced Patterning Film for EUV）。與旋涂沉積相比，應用材料公司CVD膜可以幫助客戶正確EUV微調硬掩模層，使其達到特定厚度和刻蝕彈性，從而在整個晶圓上EUV圖形傳輸達到接近完美的均勻性。

應用材料公司也詳細說明了它Sym3Y蝕刻系統的特殊功能是允許客戶在同一反應腔內進行材料蝕刻和沉積，從而首先改進EUV在晶圓上刻蝕圖形。Sym3輕移除反應腔EUV光刻膠材料，然后以特殊方式重新沉積材料，使圖形均勻，從而消除隨機誤差造成的圖形易變性。改善后的EUV圖形可以提高良率，降低芯片功耗，提高其性能。因此，位居DRAM市場上主要供應商位置的導體蝕刻系統應用材料公司正依靠其Sym3技術的快速發展將客戶群從存儲器擴展到晶圓代工廠/邏輯芯片。

應用材料公司還展示了如何使用它PROVisioneBeam深入觀察多層芯片內部的測量技術，準確測量整個晶圓EUV圖形特征幫助客戶解決其他測量技能可能無法診斷的邊緣布局錯誤。2021年，應用材料公司電子束系統的收入幾乎翻了一番，使其躍居電子束技術供應商榜首。

三維環繞式柵極晶體管工藝設計

新興的GAA如何利用三維設計技巧和維設計技巧和DTCO布局創新可以補充二維微縮。即使二維微縮速度放緩，邏輯密度也能迅速提高。材料工程領域的創新也有助于GAA降低功耗，提高晶體管性能。

在FinFET在中間，構成晶體管電子路徑的垂直由光刻和蝕刻形成，導致通道寬度不均勻。這種不均勻性會對功耗和性能產生不利影響，這也是客戶的轉移GAA另一個主要原因。

GAA晶體管看起來像FinFET晶體管旋轉90度，從垂直到水平。GAA通過使用外延進行溝通Memsic代理該技術使客戶能夠準確設計寬度，實現寬度均勻，從而獲得最佳的功耗和性能。延伸生長系統正是應用材料公司的第一個產品，從此成為市場領導者。應用材料公司于2016年發布Selectra該系統率先采用選擇性材料蝕刻技術，目前已為客戶提供1000多個反應腔，并處于市場領先地位。

GAA晶體管的主要制造挑戰是溝間距只有10納米左右。在如此小的空間內，客戶必須在所有溝周圍堆積多層氧化柵極和金屬柵極。

應用材料公司專門為氧化柵極堆疊開發IMS(集成材料解決方案)系統增加了驅動電流，提高了晶體管的性能。但氧化柵極越薄，漏電流越高，造成功耗浪費和發熱。全新的應用材料公司IMS系統將等效氧化層厚度降低1.5埃，使設計師在保持性能不變的前提下，將網極漏電流降低到原來的十分之一。它沉積了原子層（ALD）、將熱處理步驟、等離子體處理步驟和測量集成到單個高真空系統中。

應用材料公司也展示了它IMS該系統用于系統GAA金屬格柵極的過程支持客戶通過調整格柵極的厚度來微調晶體管的閾值電壓，以滿足從電池供電移動設備到高性能服務器的各種特定計算和應用的每瓦特功耗性能目標。可在高真空環境中實施高精度金屬原子層沉積步驟，防止空氣污染。

在4月21日舉行的全新微縮之旅大師班上，應用材料公司提供了更多關于其邏輯微縮解決方案的細節。