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最近，瑞森研發(fā)部對(duì)功率進(jìn)行了測(cè)試MOSFET該技術(shù)已更新，該技術(shù)已更新MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形式可以進(jìn)一步將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)改為壓縮梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減少EPI層的厚度降低導(dǎo)電阻Rds(on)。

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這全新的MOSFET技術(shù)就是SGT（Shielded Gate Trench屏蔽柵溝槽)技術(shù)。目前瑞森新一代中低壓功率MOSFET這種方法已被廣泛使用SGT比如最新推出的技術(shù):RS100N60G，RS100N85G，RS100N150G等。

圖1：Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu)

MOSFET大致可分為以下幾類：Trench （溝槽型）MOSFET；SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽柵溝槽)MOSFET，主要用于中低壓領(lǐng)域；平面型MOSFET；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要用于高壓領(lǐng)域。

SGT MOSFET及其優(yōu)勢(shì)

SGT工藝深度比普通溝槽工藝深3-5倍。多晶硅電極，即屏蔽電極或耦合電極，電極或耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，即實(shí)現(xiàn)屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，減少米勒電容和柵電荷，加快設(shè)備開關(guān)速度，開關(guān)損耗低。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了電荷耦合效應(yīng)，降低了漂移區(qū)臨界電場(chǎng)的強(qiáng)度，降低了設(shè)備的導(dǎo)電阻，與普通溝槽MOSFET相比，SGT MOSFET內(nèi)阻低2倍以上。

例如，相同的包裝形狀DFN5*6，采用SGT芯片技術(shù)可以獲得更低的導(dǎo)電阻。導(dǎo)電損耗可降低，同時(shí)實(shí)現(xiàn)電荷耦合效應(yīng)，降低漂移區(qū)臨界電場(chǎng)強(qiáng)度。可以降低設(shè)備的導(dǎo)電阻，降低導(dǎo)電損耗。與普通槽MOSFET相比，SGT MOSFET內(nèi)阻低2倍以上。

圖2：Trench MOS和SGT MOS柵電荷對(duì)比

圖3：Trench MOS和SGT MOS對(duì)比特征電阻

圖4：Trench MOS和SGT MOS的損耗對(duì)比

MOSFET通過SGT降低寄生電容和導(dǎo)通電阻，從而提高芯片性能，降低芯片面積。與普通溝槽類型MOSFET芯片面積比同功耗減少40%以上。SGT獨(dú)特的設(shè)備結(jié)構(gòu)和掩膜布局設(shè)計(jì)提高了產(chǎn)品的耐久性，減少了芯片面積，其獨(dú)特的工藝流程設(shè)計(jì)減少了工藝步驟和掩膜布局的數(shù)量，從而減少了MOSFET生產(chǎn)成本，使MOSFET產(chǎn)品性價(jià)比高，競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)。

采用SGT技術(shù)制造的MOSFET，與普通的溝Renesas代理槽型MOSFET和平面MOSFET相比之下，它在功率密度方面有很大的優(yōu)勢(shì)。SGT MOSFET溝槽深度較深，可利用更多晶硅體積吸收EAS能量，所以SGT雪崩可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。

隨著手機(jī)快速充電、電動(dòng)汽車、無刷電機(jī)和移動(dòng)儲(chǔ)能的興起，中低壓MOSFET需求越來越大，中低壓功率設(shè)備開始蓬勃發(fā)展。由于其巨大的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)外許多制造商不斷增加對(duì)相應(yīng)新技術(shù)研發(fā)的投資。而SGT MOSFET作為中低壓MOSFET廣泛應(yīng)用于手機(jī)快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理系統(tǒng)，是核心功率的關(guān)鍵部件。

圖5：同步整流SGT MOS

瑞森中低壓SGT系列產(chǎn)品

中低壓瑞森SGT該系列產(chǎn)品以其先進(jìn)的生產(chǎn)工藝、優(yōu)異的性能和良好的口碑在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件的發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。

瑞森半導(dǎo)體

REASUNOS，瑞森半導(dǎo)體是一家致力于研發(fā)、銷售、技術(shù)支持和服務(wù)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。現(xiàn)有的產(chǎn)品線包括電源管理IC、硅基功率裝置、硅基靜電保護(hù)裝置和碳化硅基功率裝置，其中，電源管理IC是國(guó)內(nèi)外第一個(gè)覆蓋率高的PF、低THD、產(chǎn)品系列具有無頻閃、高效、高功率五大優(yōu)點(diǎn)；硅基功率裝置包括平面高壓MOS、多層外延超結(jié)MOS、Trench低壓MOS和SGT低壓MOS；硅基靜電保護(hù)包括瞬態(tài)抑制二極管TVS、靜電防護(hù)裝置ESD半導(dǎo)體放電管TSPD；碳化硅基功率裝置包括碳化硅二極管和碳化硅MOS。經(jīng)過多年的技術(shù)積累和市場(chǎng)發(fā)展，瑞森半導(dǎo)體已成為全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字家電、安全工程、光伏逆變器、5G長(zhǎng)期合作伙伴能源汽車充電樁等行業(yè)的長(zhǎng)期合作伙伴。