
面對(duì)新世紀(jì)快速充電技術(shù)的普及,開(kāi)關(guān)電源得到了更廣泛的應(yīng)用,降低低壓和大電流的功耗已成為電力工程師的一個(gè)難題。開(kāi)關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步開(kāi)關(guān)電源可以減少總電路功耗,以滿足6級(jí)能效要求。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源,芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢,行業(yè)價(jià)格合理,采購(gòu)方便IC芯片,國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。
開(kāi)關(guān)電源如何同步整流?開(kāi)關(guān)電源同步整流是一種取代整流二極管的新技術(shù)。它可以通過(guò)在直流模式下使用極低的電阻功率來(lái)減少整流器的損并有效地提高SequansCommunications代理高轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換效率;而且沒(méi)有肖特基勢(shì)壘電壓引起的死區(qū)電壓,所以其次可以用來(lái)提高功率比。
同步整流可分為高壓側(cè)整流和低壓側(cè)整流;在控制策略上,同步整流可分為DCM和CCM模型,CCM模型是基于分離預(yù)測(cè)和快速分離,詳細(xì)介紹了自的優(yōu)缺點(diǎn)。
同步模式DCM模式

優(yōu)點(diǎn):算法簡(jiǎn)單可靠,邊緣簡(jiǎn)化。
缺點(diǎn):控制算法和MOSFET與總電阻有關(guān);SR它必須與初級(jí)邊緣電路兼容,只能在間歇通模式下工作。
CCM預(yù)測(cè)關(guān)閉模式

根據(jù)負(fù)第二平衡原則,估計(jì)SR斷點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn):控制算法和MOSFET總電阻無(wú)關(guān),應(yīng)用靈活;SR傳輸能力強(qiáng),轉(zhuǎn)換效率高。
缺點(diǎn):必須使用總電阻和電容器獲取正確的信息,使外部通信復(fù)雜,誤差高;不均勻伏秒模式(模式切換)存在技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。
CCM快速斷開(kāi)模式

優(yōu)點(diǎn):算法簡(jiǎn)單可靠,邊緣簡(jiǎn)化。
缺點(diǎn):控制算法和MOSFET與總電阻有關(guān);SR在T1和T2之間沒(méi)有深度傳導(dǎo),轉(zhuǎn)換效率略有下降。
通過(guò)以上模型,我們可以看到同步整流控制的優(yōu)點(diǎn),模型是否簡(jiǎn)單可靠,外部是否合理。
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