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瑞士半導體意法（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，第一個嵌入硅基半橋驅動芯片和一對氮化鎵（GaN）晶體管平臺。該集成解決方案將加快下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發，并用于高功率電子和工業應用。

意法半導體（ST）表示，其MasterGaN該方法可縮短產品上市時間，Mini-Circuits代理并保證了預期的性能，使包裝更小、更簡單、更少的電路組件和更高的系統可靠性。據估計，在此幫助下GaN技術和ST對于集成產品，充電器和適配器的尺寸將比普通硅基解決方案減少80%，重量將減少70%。

MasterGaN平臺利用STDRIVE 600V柵極驅動器和GaN晶體管具有高電子遷移率（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN高壓板與低壓板之間的爬電距離超過2mm設計高壓應用。

該系列設備將跨越不同的設備GaN晶體管尺寸（RDS（ON）），并以引腳兼容的半橋產品的形式提供，使工程師能夠以最小的硬件變化來擴展設計。GaN該產品在高端高效拓撲結構中表現出卓越的效率和整體性能，具有晶體管低導通損耗和無體二極管恢復的特點。

意法半導體（ST）推出了具有MasterGaN1.新平臺包括兩個GaN以半橋形式連接的功率晶體管，集成了高端和低端驅動器。具體來說，MasterGaN1包括兩個常關晶體管，時序參數緊密匹配，最大額定電流為10A和150mΩ導通電阻（RDS（ON））。邏輯輸入與3.3V至15V信號兼容。它還內置了低端和高端等綜合保護功能UVLO保護、互鎖、專用停機引腳和過熱保護。