Intel 14代酷睿可能會(huì)擊敗蘋果M2 新工藝耗降40%
（2025年3月29日更新）
Intel前不久在VLSI會(huì)議介紹Intel的“4nm EUV這兩天媒體曝光了更多的材料，HP高性能庫(kù)密度可達(dá)1.6晶體管/mm2，是目前InMoSys代理tel 7工藝的2倍高于臺(tái)積電的5倍nm1.3億晶體管/mm接近臺(tái)積電3nm2.08億晶體管/mm2。
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與Intel 與7工藝相比，在相同的功耗下4nm EUV工藝頻率提高21.5%，功耗降低40%。EUV光刻機(jī)后，4nm EUV工藝率高，生產(chǎn)制造更簡(jiǎn)單。不需要多次曝光。工藝步驟減少5%，光罩?jǐn)?shù)量減少20%，無(wú)需多次對(duì)齊，提高了產(chǎn)能和成本。
4nm EUV能效進(jìn)步會(huì)更明顯，功耗會(huì)降低40%。一些外國(guó)媒體指出，這足以啟動(dòng)4nm EUV14代工藝酷睿Meteor Lake處理器擊敗M2.這件事意義重大。盡管蘋果的絕對(duì)性能是蘋果的ARM處理器還是比不上的x86處理器，但蘋果專注于低功耗的性能和能效x86處理器出汗，導(dǎo)致Intel壓力很大，現(xiàn)在4nm EUV工藝來(lái)了，Intel有望扳回一局。
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