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上個月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布其定位 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 生產(chǎn)芯片的技術(shù)工藝。作為業(yè)內(nèi)第一個使用芯片的人 GAA 晶體管的 3nm 可以看出，這個術(shù)語指的是3nm環(huán)柵晶體管和早期Vishay代理地制造 GAA 晶圓廠還必須配備必須配備新的生產(chǎn)工具。來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具將為三星等晶圓廠提供服務(wù) GAA 芯片制造支持。

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（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via AnandTech ）

為了滿足芯片設(shè)計(jì)師的需求，預(yù)計(jì)新工藝將實(shí)現(xiàn)更低的功耗、更高的性能和晶體管密度。然而，近年來，這種組合一直難以實(shí)現(xiàn) —— 晶圓廠必須克服漏電等負(fù)面影響，

為了縮放晶體管的尺寸，保持其性能和電氣參數(shù)，芯片電氣參數(shù) 2012 年初，從平面晶體管過渡到 FinFET(鰭場效應(yīng)晶體管)增加晶體管溝與柵極之間的接觸面積。

顧名思義，環(huán)柵場效應(yīng)晶體管（GAAFET）溝渠是水平的，所有四面都被柵極包圍，從而很好地解決了與漏電有關(guān)的尷尬。

但這還不是 GAAGET 以納米片為基礎(chǔ)的唯一優(yōu)勢 / 納米帶的 GAAFET 為了獲得更高的性能或降低功耗，晶圓廠還可以調(diào)功耗。

三星的 3GAE 和 3GAP 這個過程就是使用所謂的納米帶技術(shù)。該公司甚至使用它 GAAFET 稱為多橋通道場效晶體管（MBCFET），劃清與納米線競爭方案的界限。