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東芝電子元件及存儲設(shè)備有限公司(東芝)近日宣布推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQHU-MOSX-H該工藝適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品今天開始支持批量運(yùn)輸。

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用現(xiàn)代用現(xiàn)代U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH漏源導(dǎo)電阻下降約42%。對新型MOSFET結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)了源漏導(dǎo)電阻與兩個電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，在開關(guān)操作過程中降低漏極與源極之間的尖峰電壓有助于減少開關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更廣泛使用SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝包裝。

同時，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的各種工具。除了快速驗證電路功能外G0 SPICE模型還提供高精度，可以準(zhǔn)確再現(xiàn)瞬態(tài)特性G2 SPICE模型。

東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大MOSFET通過減少損耗，提高設(shè)備的電源效率，幫助產(chǎn)品線降低功耗。

■ 應(yīng)用：

- 通信設(shè)備電源

- 開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

■ 特性：

- 優(yōu)異的低損耗特性(平衡導(dǎo)通電阻、柵開關(guān)電荷和輸出電荷)

- 優(yōu)良的導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

- 高額定結(jié)溫：Tch(最大值)=175℃

■ 主要規(guī)格：

(除非另有說明，@Ta＝25℃）

器件型號

TPH9R00CQH

絕對最大

額定值

漏源電壓VDSS（V）

150

漏極電流(直流)

ID（A）

@Tc＝25℃

64

結(jié)溫Tch（℃）

175

電氣特性

泄漏導(dǎo)電阻

RDS(ON)最大值（mΩ）

@VGS＝10V

9.0

@VGS＝8V

11

總格柵電荷(格柵極-源極+格柵極-漏極)

Qg典型值（nC）

44

網(wǎng)極開關(guān)電荷Qsw典型值（nC）

11.7

輸ICPlus代理出電荷Qoss典型值（nC）

87

輸入電容Ciss典型值（pF）

3500

封裝

名稱

SOP Advance

SOP Advance（N）

尺寸典型值（mm）

5.0×6.0

4.9×6.1

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注：

[1] 東芝調(diào)查截至2022年3月。

[2] 網(wǎng)極開關(guān)電荷和輸出電荷。

[3] 與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H與系列相比，該產(chǎn)品導(dǎo)致泄漏電阻×格柵開關(guān)電荷增加約20%，漏源導(dǎo)電阻增加×輸出電荷增加了28%左右。