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5月17日，促進(jìn)科學(xué)進(jìn)步中的重要作用，聯(lián)合國教科文組織將每年的5月16日定為國際光日。5月13日，ASML官方賬號(hào)文章稱，現(xiàn)有技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)1nm摩爾定律可以持續(xù)生效十年甚至更長時(shí)間。

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ASML據(jù)說，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，前瞻性推斷摩爾定律——誕生于1965年，在指導(dǎo)芯片制造的每一次創(chuàng)新和突破方面都扮演著像光一樣的角色。摩爾定律在過去的50年里不斷演變。摩爾對(duì)以最低成本制造復(fù)雜芯片的最初預(yù)測(cè)在演變過程中也被描述為各種表達(dá)方式。現(xiàn)在這個(gè)定律最常被描述為半導(dǎo)體芯片可容納的晶體管數(shù)量呈倍數(shù)增長。1975年，摩爾修正了自己的預(yù)測(cè)：晶體管數(shù)量從第一年增加到兩年。

摩爾認(rèn)為，增加芯片面積，縮小元件尺寸，優(yōu)化器件電源TXC代理道路設(shè)計(jì)是晶體管數(shù)量翻倍的三個(gè)重要因素。

ASML據(jù)說，在過去的15年里，許多創(chuàng)新方法使摩爾定律生效良好。從整個(gè)行業(yè)的發(fā)展路線來看，摩爾定律將在未來十年甚至更長時(shí)間內(nèi)保持這一勢(shì)頭。在元件方面，目前的技術(shù)創(chuàng)新足以將芯片工藝推廣至少1納米節(jié)點(diǎn)，包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等許多前瞻性技術(shù)。此外，光刻系統(tǒng)分辨率的提高(預(yù)計(jì)每6年縮小2倍左右)和邊緣放置誤差（EPE）測(cè)量精度也將進(jìn)一步促進(jìn)芯片尺寸縮小的實(shí)現(xiàn)。

ASML摩爾定律將繼續(xù)生效，只要我們有想法。