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5 月 29 半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年時(shí)間準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 新的高值孔徑光刻技術(shù) EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)會(huì)比這更快。

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但為了保持半導(dǎo)體的性能、功率、面積和成本（PPAc）領(lǐng)先的制造商仍然愿意造商仍然愿意為使用新技術(shù)付費(fèi)，而這種技術(shù)對(duì)于未來 3nm 等待關(guān)節(jié)點(diǎn)具有重要意義。因此，英特爾、三星和臺(tái)積電都需要它TexasInstruments代理求都很高。

幾周前，ASML 披露其在 2022 年度第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告稱，它已收到多個(gè)客戶 High-NA Twinscan EXE:5200 系統(tǒng) (EUV 0.55 NA) 訂單。

據(jù)路透社報(bào)道，ASML 上周澄清說，他們已經(jīng)得到了 5 個(gè) High-NA 預(yù)計(jì)產(chǎn)品試點(diǎn)訂單將在 2024 年交付，超過 5 需要從單需要從 2025 具有更高生產(chǎn)率的后續(xù)型號(hào)于年交付。

有趣的是，早在 2020 ~ 2021 年，ASML 他說他已經(jīng)收到了三個(gè)客戶 High-NA 意向訂單共提供多達(dá) 12 設(shè)置系統(tǒng)。目前，英特爾、三星和臺(tái)積電肯定會(huì)贏得2020年 ~ 2021 年預(yù)生產(chǎn)的 High-NA 機(jī)器。

此外，ASML 第一個(gè)已經(jīng)開始生產(chǎn)了 High-NA 預(yù)計(jì)光刻系統(tǒng)將在 2023 年完成(原型機(jī))并將被完成 Imec 和 ASML 客戶用于研發(fā)。

ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 機(jī)器要復(fù)雜得多，所以建造這些機(jī)器需要更長(zhǎng)的時(shí)間。該公司希望在未來中期交付 20 套 High-NA 這可能意味著其客戶將不得不競(jìng)爭(zhēng)。

我們也在與供應(yīng)鏈合作伙伴討論，以確保中期 20 個(gè) EUV 0.55NA Wennink 說。

到目前為止，唯一確認(rèn)使用的是 ASML High-NA 英特爾是光刻機(jī) 18A 英特爾計(jì)劃在節(jié)點(diǎn) 2025 年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)， ASML 當(dāng)時(shí)也開始交付 High-NA EUV 系統(tǒng)。但是英特爾最近已經(jīng)把它放了 18A 推遲生產(chǎn)計(jì)劃 2024 年下半年，并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 它可以通過多種曝光模式生產(chǎn)。

從這個(gè)角度來看，英特爾 18A 毫無疑問，技術(shù)將大大受益 High-NA EUV 但工具并非完全不可分割Twinscan EXE:5200 機(jī)器。商言商，雖然 18A 不一定需要新機(jī)器，但多曝光模式意味著產(chǎn)品周期長(zhǎng)、生產(chǎn)率低、風(fēng)險(xiǎn)高、回報(bào)率低、競(jìng)爭(zhēng)難度大。因此，英特爾肯定也希望它 18A 節(jié)點(diǎn)盡快到來，從而重鑄過去的榮耀，從臺(tái)積電手中奪回過去的地位。