據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國際電子設(shè)備會(huì)議上舉行（IEDM）報(bào)告了新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。根據(jù)會(huì)議收到的信息，三星研究人員在14歲nm FinFET磁性隧道堆疊的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器在邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)(MRAM)據(jù)說制造是世界上規(guī)模最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。
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該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯過程。三星研究人員將在12月舉行的國際電子設(shè)備會(huì)議上報(bào)告。
論文中提到中提到ESMT代理該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ，讀取的有效功率要求為14mW，寫入的有效功率要求為27mW，每秒54的數(shù)據(jù)速率Mbyte。
為了實(shí)現(xiàn)這一性能，研究小組將磁性隧道結(jié)縮小到三星14nm FinFET邏輯平臺(tái)，上一代28nm節(jié)點(diǎn)的MRAM面積增加了33%，取時(shí)間增加2.6倍。
本研究的目標(biāo)之一是證明嵌入式MRAM適用于依賴大型數(shù)據(jù)集和分析的高速緩存器，如邊緣AI。
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