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IT之家7 月 28 據浙江大學杭州國際科技創新中心報道，近日，浙江大學杭州國際科技創新中心先進半導體研究所-乾晶半導體聯合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省先鋒計劃等研發項目的支持下成功成長 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。這一重要進展意味著碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產業的發展可能會迎來新的發展機遇。

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碳化硅（SiC）單晶作為一種寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫、高功率等半導體設備的發展至關重要。目前，我國碳化硅單晶的直徑已普遍達到 6 但其厚度通常為~20-30英寸 mm 之間，導致碳化U-Blox代理硅片獲得的碳化硅襯底片數量相當有限。

研究人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰是其生長厚度的增加和源粉消耗對生長室內熱場的變化。針對挑戰，浙江大學通過設計碳化硅單晶生長設備的新熱點，開發碳化硅源粉的新技術，開發碳化硅單晶生長的新技術，顯著提高了碳化硅單晶生長率，成功生長厚度 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。碳化硅單晶的晶體質量已達到行業水平。