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泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 最近宣布戰(zhàn)略合作，為下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的泛林突破性極紫外線提供可靠的前體化學(xué)品 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將與未來(lái)幾代邏輯合作 DRAM 用于設(shè)備生產(chǎn) EUV 研發(fā)干膜光刻膠技術(shù)將有助于實(shí)現(xiàn)從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動(dòng)設(shè)備的所有這些技術(shù)。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

工藝化學(xué)品供應(yīng)鏈強(qiáng)大 EUV 干膜光刻膠技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中的應(yīng)用至關(guān)重要。這種新的長(zhǎng)期合作將進(jìn)一步擴(kuò)大干膜光刻膠技術(shù)不斷發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)，由半導(dǎo)體材料領(lǐng)導(dǎo)者提供雙源供應(yīng)，以確保世界各市場(chǎng)的可持續(xù)供應(yīng)。

此外，泛林，Entegris 和 Gelest 加快未來(lái)高數(shù)值孔徑(高數(shù)值孔徑)的發(fā)展 NA）EUV 高性價(jià)比的圖形化 EUV 干膜光刻膠解決方案。高 NA EUV 它被廣泛認(rèn)為是未來(lái)幾十年半導(dǎo)體器件持續(xù)微縮和開(kāi)發(fā)所需的圖形化技術(shù)。干膜光刻膠可實(shí)現(xiàn)高耐蝕性、沉積和顯影所需的可調(diào)厚度比，支持高耐蝕性 NA EUV 降低焦深要求。

泛林集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官 Rick Gottscho 表示：干膜光刻膠技術(shù)的結(jié)合 EUV 為將來(lái) DRAM 邏輯的發(fā)展掃清了最大的障礙。本次合作將泛林在干膜光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)、尖端解決方案和材料科學(xué)能力與兩位前體化學(xué)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者帶來(lái)的可靠供應(yīng)渠道相結(jié)合。該干膜光刻膠生態(tài)系統(tǒng)的重要擴(kuò)展為該技術(shù)的創(chuàng)新和量產(chǎn)鋪平了道路�！�

干膜光刻膠最初是泛林和 ASML 和 IMEC合作開(kāi)發(fā)，改進(jìn) EUV 從而解決了光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率 DRAM 與邏輯技術(shù)相關(guān)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。該技術(shù)提供了優(yōu)異的劑量-尺寸比和劑量-缺陷率性能，從而提高了 EUV 掃描儀的NXP代理生產(chǎn)率和持有成本降低。此外，與傳統(tǒng)的防腐劑工藝相比，泛林干膜光刻膠工藝消耗的能源較少，原材料消耗量比以前少5-10倍，為可持續(xù)發(fā)展提供了關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。

Entegris首席執(zhí)行官 Bertrand Loy 泛林干膜光刻膠技術(shù)反映了材料層面的關(guān)鍵創(chuàng)新，并提供了更好的分辨率、更高的成本效益和有吸引力的可持續(xù)發(fā)展效益等諸多優(yōu)勢(shì)。我們很自豪能夠參與這項(xiàng)創(chuàng)新合作，加快干膜光刻膠技術(shù)的應(yīng)用，成為客戶可靠的工藝材料供應(yīng)商，利用這項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)造下一代半導(dǎo)體�！�

三菱化學(xué)集團(tuán)旗下 Gelest 總裁 Jonathan Goff 說(shuō)：我們和泛林和 Entegris 合作開(kāi)發(fā) EUV 光刻所用的干膜光刻膠表明我們致力于支持芯片制造商在材料科學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新。這幾年我們已經(jīng)看到了 EUV 為了擴(kuò)大其潛力，我們很高興成為不斷發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng)的一部分。”