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半導體和意法Leti硅基氮化鎵功率轉換技術合作開發

（2024年11月23日更新）

先進合作研發硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構，量產

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利用IRT納電子技術研究所的研究研究所的研究結果出發Leti的200mm研發線轉到200意法半導體mm晶圓試生產線于2020年前投入運營

中國/24 Sep 2018

世界領先的半導體供應商橫跨多重電子應用領域意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬研究所Leti今天宣布合作開發硅基氮化鎵（GaN）動力開關設備制造技術。硅基氮化鎵動力技術將使意大利半導體能夠滿足混合動力和電動汽車充電器、無線充電和服務器等高、高功率的應用需求。

本合作項目的重點是2000年的開發和測試mm晶片上先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS2019年至2024[1]，該市場的復合年增長率將超過20%。半導體和意法Leti利用IRT納電子研究所的框架計劃在Leti的200mm工程樣品驗證有望于2019年完成。同時，意法半導體還將建立高質量的生產線，包括GaN / 計劃2020年前在法國圖爾前工藝晶圓廠首次生產硅異質外延工藝。

此外，鑒于硅基氮化鎵技術對功率產品的吸引力，Leti高密度電源模塊所需的先進電源模塊所需的先進包裝技術。

半導體汽車及分立器件產品部總裁Marco Monti在意識到寬帶間隙半導體令人難以置信的價值后，意法半導體和CEA-Leti開始合作開發硅基氮化鎵功率器件的制造和包裝技術。ST通過市場檢驗的Transphorm代理本次合作之后，我們將進一步擁有行業內最完整的產品生產能力GaN和SiC產品與功能的結合。

Leti首席執行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的團隊利用Leti的200mm一般平臺全力支持意大利半導體硅基氮化鎵功率產品的戰略規劃，并準備將該技術轉移到意大利半導體圖爾工廠硅基氮化鎵專用生產線。合作開發項目需要雙方團隊的共同努力IRT納電子研究所的框架計劃擴大所需的專業知識，從零開始創新設備和系統。”

編者注：
與硅等傳統半導體材料相比，工作電壓、頻率和溫度較高GaN設備的固有優勢。除了功率氮化鎵技術外，意大利半導體還在開發另外兩種寬帶間隙技術：碳化硅（SiC）還有射頻氮化鎵（GaN）。

在GaN領域除了與CEA-Leti除了合作，意法半導體不久前宣布與之合作MACOM合作開發射頻硅基氮化鎵技術MACOM非電信市場開發的各種射頻產品和意大利半導體產品。兩個研發項目都用GaN，很容易引起混淆，但這兩種研發項目使用不同的結構和應用優勢。例如，功率硅基氮化鎵技術適用于200mm目前，射頻硅基氮化鎵至少更適合150mm在晶片上制造。無論如何，由于開關損耗低，GaN技術適用于制造更高頻率的產品。

另一方面，碳化硅設備的工作電壓較高，阻斷電壓超過1700V，雪崩電壓額定值超過1800V，低通態電阻使其非常適合能效和熱性能優異的產品。有了這些特性，SiC非常適合電動汽車、太陽能逆變器和焊接設備。

關于意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics; ST）它是世界領先的半導體公司，提供與日常生活密切相關的智能、高效的產品和解決方案。意大利半導體產品無處不在，致力于實現智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯網產品。意法半導體主張科技引領智能生活（life.augmented）的理念。2016年，意大利半導體凈收入69.7億美元，全球客戶超過10萬。詳情請瀏覽意大利半導體公司網站：www.st.com

關于Leti (法國)

小型技術領域使工業方案更加智能、節能、安全，CEA Tech技術研究院Leti世界領先。成立于1967年，Leti為國際企業、中小企業和初創企業提供定制化、差異化的應用方案，是微米和納米技術的先驅。Leti探索解決醫療健康、能源和數字化面臨的重大挑戰。從傳感器到數據處理和計算方案，Leti多學科團隊為客戶提供深厚扎實的專業知識和世界級的試生產設施。該研究所擁有1900多名員工，2700項專利，91500平方英尺無塵室，總部位于法國格勒諾布爾，在硅谷和東京設有辦事處。 Leti已經成立了60家創業公司Carnot Institutes網絡成員。

關注我們：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.

CEA Tech法國新能源和原子能委員會（CEA）技術研究委員會是創新研發、國防安全、核能、工業和基礎科學技術研究領域的重要參與者湯森路透社評為世界第二大創新研究組織。CEA Tech利用其獨特的創新驅動文化和無與倫比的專業知識，開發和傳播新的工業技術，幫助客戶開發高端產品，提高市場競爭優勢。

關于納電子技術研究所（IRT）
Leti納電子技術研究所（IRT）研發活動涉及信息和通信技術（ICT），特別是在微電子和納米電子技術領域。總部位于法國格勒諾布爾，IRT納米電子研究所利用該地區經過測試的創新生態系統，開發能夠促進納米電子未來發展的技術，促進新產品開發，為現有技術開發新的應用（如物聯網）。IRT納電子的研發活動可以讓世界深入了解3D對集成電路的影響，如集成、硅光子學和功率器件。詳情訪問www.irtnanoelec.fr。

IRT納電子研究所是法國政府 “Program Investissements d'Avenir計劃企業獲得政府資金支持，備案號為ANR-10-AIRT-05。