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國(guó)內(nèi)技術(shù)進(jìn)步：長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過192層閃存切入232層

（2024年11月23日更新）

2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年通過自主研發(fā)和國(guó)際合作設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江儲(chǔ)存晶棧 Xtacking第二代3架構(gòu)D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功推進(jìn)到128層3D堆疊。

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堆疊層數(shù)通常被視為閃存領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。

根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)的研究機(jī)構(gòu)OERI根據(jù)一份報(bào)告，三星和韓國(guó)閃存技術(shù)的差距已經(jīng)縮短到兩年，原因是SK海力士初，海力士將大規(guī)模生產(chǎn)200多層閃存，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)到2024年。現(xiàn)在，他們低估了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)儲(chǔ)備。據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)將進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈iPhone如果說產(chǎn)品供應(yīng)閃存最多的話Samsung代理最終實(shí)現(xiàn)，無疑會(huì)有打破產(chǎn)業(yè)格局的動(dòng)力。

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