
國內(nèi)技術(shù)進(jìn)步:長江存儲或跳過192層閃存 切入232層
(2025年3月29日更新)
2016年成立的長江存儲于2017年通過自主研發(fā)和國際合作設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年,長江儲存晶棧 Xtacking第二代3架構(gòu)D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功推進(jìn)到128層3D堆疊。
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堆疊層數(shù)通常被視為閃存領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士報(bào)道,長江存儲計(jì)劃跳過192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國研究機(jī)構(gòu)的研究機(jī)構(gòu)OERI根據(jù)一份報(bào)告,三星和韓國閃存技術(shù)的差距已經(jīng)縮短到兩年,原因是SK海力士初,海力士將大規(guī)模生產(chǎn)200多層閃存,而長江存儲將持續(xù)到2024年。現(xiàn)在,他們低估了長江存儲的技術(shù)儲備。據(jù)報(bào)道,長江存儲預(yù)計(jì)將進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈iPhone如果說產(chǎn)品供應(yīng)閃存最多的話Samsung代理最終實(shí)現(xiàn),無疑會有打破產(chǎn)業(yè)格局的動(dòng)力。
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