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近日，有消息稱，國內存儲芯片廠長江存儲已將192層堆疊的3層交付給客戶D NAND閃存芯片。預計2022年底或2023年初將實現332層堆疊D NAND閃存技術。

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這意味著國內存儲芯片制造商終于趕上了三星和美光。你知道，美光最近發布了業內第一家 232 層堆棧的 3D NAND Flash2022年底或2023年初，芯片大規模生產和應用。

三星預計將在2022年推出超過200層D NAND閃存芯片，大規模應用到2023年。

可見，國產存儲芯片在技術上確實趕上了三星、美光等頂級工廠，大家幾乎處于同一水平。

仔細說，國產存儲芯片從落后20年到現在只花了6年時間才趕上頂級水平。

2016年成為長江儲存AllianceMemory代理總投資1600億元，預計建設目標為總產能30萬片/月，年產值將超過100億美元，占全球市場份額的20%以上，成為世界知名NAND閃存廠商。

2016年，國內存儲芯片基本空白，落后國外水平至少20年。因此，很多人對長江存儲并不樂觀，認為趕上三星和美光可能需要很長時間。

我從來沒有想過長江的儲存進展非常快，2017年中國第一個3D NAND閃存芯片，然后在2018年實現大規模生產，雖然落后于國外，但有0個突破。

后來，長江儲存自主研發Xtacking結構大大提高了存儲密度。2019年9月，基于自主研究Xtacking架構64層3D NAND Flash，縮小了與三星、美光的差距。

2020年4月，長江存儲實現了跳躍式發展，跳過96層，直接發布了128層3層D NAND 與三星、美光的差距再次縮小。

并且基于Xtacking架構，長江128層堆疊NAND閃存芯片的存儲密度達到8.48 Gb/mm2，遠高于三星，美光，SK海力士等一線NAND芯片大廠。

很多人可能不明白堆疊層數的意義。在存儲芯片領域，堆疊層數越高，工藝越先進，存儲密度越高，芯片成本越低，尺寸越小。

我們原本認為，從128層到232層的長江存儲可能需要幾年時間。當美光和三星進入232層時，長江存儲立即趕上。

根據機構數據，2021年國內存儲芯片市場份額為4%，2022年可達7%左右，2023年可達12-15%。

這意味著長江存儲確實花了6年多的時間來趕上落后至少20年的存儲芯片技術，市場也在快速增長，這真的太棒了。

而長江存儲也向大家證明了一個事實，那就是只要認真扎實的研發，芯片技術對我們來說同樣困難。