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禁止使用美國計劃Gate-all-aroundGAA制造芯片所需的新技術EDA軟件出口到中國大陸，GAA(環繞柵極)是的GAA FET，所以，什么是GAA FET(圍柵極場效應晶體管)

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數字芯片最基本的單元是數字芯片MOSFET，工藝發展到7nm、3nm、2nm，半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET采用平面結構，溝槽寬度越小，泄漏到源極距離越小，載流子流量越長，工作頻率越高同時，網格電壓越低，開關損耗越低導電阻降低，導電損耗降低。

然而，工藝尺寸越低，短溝效應就越明顯。短溝效應是晶胞單元的泄漏到源間距越來越小，下接觸面積越來越小，很難耗盡溝載流子，減弱溝控制；因此，泄漏電流會急劇增加，性能惡化，靜態功耗增加。

圖1：平面MOSFET結構

若采用立體結構，增加柵極與溝道的接觸面積，如新的FinFET鰭型三維結構是將柵極包裹在三個側溝中，以解決上述問題。

圖2 FinFET鰭型結構

為進一步提高柵極對溝的控制能力，縮小單元尺寸，降低電壓，GAA柵極環繞結構被Espressif代理開發，。

圖3 柵極環繞結構

GAA柵極環繞晶體管結構的柵極在垂直方向分為幾條帶RibbonFET，對載流子的控制在其溝通區域得到了很大的提高，從而實現了更好的性能，同時也更容易優化工藝。