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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯合開發高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

（2024年11月23日更新）

高溫半導體和功率模塊的領導者CISSOID宣布，公司已NAC Group和Advanced Conversion(為嚴格應用提供高性能電容器的領導者)合作，提供緊湊優化的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。結合了功率堆棧CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器可以進一步與控制板和液體冷卻器集成，為電機驅動器提供高功率密度和高效率SiC逆變器的設計提供了一個完整的硬件和軟件平臺。

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CISSOID智能功率模塊（IPM）三相1200平臺集成V/340A-550A SiC MOSFET功率模塊和耐溫柵極驅動器可以實現低開關損耗和高功率密度。該平臺可以通過控制板和算法進一步增強電機驅動器SiC逆變器提供實時處理、控制和功能安全。電源模塊的導電Altera代理阻范圍從2.53mOhm（毫歐）到4.19mOhm，這取決于額定電流。在600V/300A當總開關能量低至7時.48mJ（Eon）和7.39mJ（Eoff）。通過仔細調整功率模塊與柵極驅動器的協同設計dV/dt優化控制快速開關固有電壓過沖IPM，為實現最低開關能量。嵌入式柵極驅動解決方案與快速開關SiC晶體管的許多挑戰：負驅動和有源米勒鉗位置（AMC）可防止寄生導通；去飽和檢測和軟關斷（SSD）能對短路事件做出快速安全的反應；鎖定柵極驅動器和直流總線電壓上的欠壓（UVLO）該功能可以監控系統的正常運行。

Advanced Conversion6組直流支撐電容器機械安裝在低電感母線上CISSOID的IPM上。一組電容值高達500μF、額定電壓高達900V參考電容器可用于快速評估。基于Advanced Conversion環膜電容器也可以提供定制的解決方案，非常適合從表面安裝到開關模塊接口優化總線結構的應用場景。這種獲得專利的方法與總線冷卻相結合，可以提供非常高的每微法拉額定安培數，允許適應盡可能小的電容，同時最大限度地減少換相電路的電感。使用正確的開關模塊和適當的連接設計，很容易實現小于5nH等效串聯電感值。

直流支撐電容器是快速開關的大功率逆變器的關鍵部件，但在設計初期往往被忽視。然而，高效快速開關的寬帶間隙設備需要精心設計的直流支撐總線拓撲結構和緊密集成的電容器。”NAC Group產品營銷總監James Charlton表示。NAC Group與Advanced Conversion合作開發了一系列匹配CISSOID一起使用模塊的套件。CISSOID首席技術官Pierre Delatte由于電容器套件，客戶可以立即找到與我們快速開關的三相SiC IPM為了實現緊湊高效的電機驅動，完美匹配的高性能電容器可以加速其逆變器設計。”