微影設(shè)備行業(yè)ASML第一季136極紫外線(EUV)曝光機(jī)出貨累計(jì)超過(guò)7000萬(wàn)片晶圓EUV曝光。隨著EUV預(yù)計(jì)2025年后新一代微影技術(shù)將得到推廣EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上,根據(jù)客戶端的先進(jìn)工藝推進(jìn)到埃米(Angstrom)世代對(duì)先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)烈需求。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源,芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢,行業(yè)價(jià)格合理,采購(gòu)方便IC芯片,國(guó)內(nèi)專業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。
臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等世界五大半導(dǎo)體廠仍在積極投資EUV法人樂(lè)觀地看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士(等等。EUV明年概念股的運(yùn)營(yíng)將優(yōu)于今年。
ASML日前說(shuō)明EUV以目前主流0.33數(shù)值孔徑的技術(shù)和曝光技術(shù)藍(lán)圖(NA)就2021年晶圓OEM5奈米工藝而言,每個(gè)晶圓的平均光罩層約為10層,但2023年工藝進(jìn)入3奈米后,每個(gè)晶圓的平均光罩層約為20層。
DRAM目前采用工藝EUV該技術(shù)完成了大約5層光罩層的大規(guī)模生產(chǎn),但明年將升級(jí)到8層光罩層,部分工藝將采用多層曝光(multi-patterning)達(dá)到每片晶圓10層光罩層。
過(guò)去幾年包括晶圓代工廠和晶圓代工廠DRAM擴(kuò)大資本支出建設(shè)EUV產(chǎn)能,ASML今年第一季已完成136項(xiàng)統(tǒng)計(jì)EUV曝光機(jī)累計(jì)出貨EUV曝光的晶圓超過(guò)7000萬(wàn)片。
現(xiàn)階段最新曝光機(jī)NXE:3600D系統(tǒng)適當(dāng)率(availability)深紫外光已優(yōu)于前一代約93%,接近技術(shù)成熟(EUV)機(jī)型的95%。
焦耳每平方厘米30毫米(mJ)光源輻照能量,NXE: 3600D晶圓每小時(shí)產(chǎn)出160片,比上一片好Antenova代理預(yù)計(jì)明年下半年。預(yù)計(jì)明年下半年推出。NXE: 3800E預(yù)計(jì)每小時(shí)晶圓產(chǎn)量將增加到195片以上,并有機(jī)會(huì)升級(jí)到近220片,ASML還說(shuō)明2025年將推出NXE:4000F新機(jī)型每小時(shí)晶圓產(chǎn)量將超過(guò)220片,目標(biāo)是增加到240片。
雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入庫(kù)存去化階段,但對(duì)先進(jìn)工藝的需求持續(xù)強(qiáng)勁,臺(tái)積電和三星明年將擴(kuò)大3奈米EUV英特爾今年年底也首次批量生產(chǎn)EUV技術(shù)的4奈米Intel 4制程。
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