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韓國媒體表示，韓國三星計(jì)劃在三年內(nèi)成立GAAFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)已成為芯片OEM行業(yè)游戲規(guī)則的破壞者，趕上全球芯片OEM領(lǐng)先臺積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET該技術(shù)是善半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)的新時代工藝，使柵極接觸晶體管的所有四面，而不是目前FinFET工藝三面，使GAAFET芯片生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)FinFET更準(zhǔn)確地控制電流。

市場研究調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce報告指出，2021年第四季度，臺積電全球芯片OEM行業(yè)以52.1%的市場份額擊敗韓國三星。為了趕上臺積電，三星押注GAAFET該技術(shù)首次用于3納米節(jié)點(diǎn)，6月份開始試生產(chǎn)，成為世界上第一個GAAFET芯片代工廠的技術(shù)。與5納米工藝相比，三星數(shù)據(jù)顯示，GAAFET3納米工藝性能提高15%，能耗降低30%，芯片面積降低35%。

三星最近試產(chǎn)GAAFET技術(shù)3納米工藝后，2023年引進(jìn)第二代3納米工藝芯片量產(chǎn)，2025年量產(chǎn)GAAFET技術(shù)2納米工藝。另一方面，臺積電，下半年批量生產(chǎn)。FinFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)。臺積電沿用FinFET原因是成本和穩(wěn)定性。

韓國市場人士表示，如果三星GAAFET為了保證良率，3納米制程可以成為OEM市場游戲規(guī)則的破壞者。此外，臺積電最近宣布將在2025年引入GAAFET從2022年底到2025年3年，技術(shù)2納米工藝發(fā)布了第一款產(chǎn)品，這對三星芯片OEM業(yè)務(wù)至關(guān)重要。

近日，三星宣布五年內(nèi)投資半導(dǎo)體等關(guān)鍵行業(yè)，總計(jì)450兆韓元，但面臨3納米制造障礙。Richtek代理同樣，臺積電也很難提高3納米良率，原計(jì)劃在7月份為英特爾和蘋果量產(chǎn)3納米芯片，GPU英偉達(dá)也支付了90億美元的預(yù)付款，今年發(fā)布了采臺積電3納米生產(chǎn)GeForce RTX40系列GPU，但良率問題，GeForce RTX40系列GPU最后，5納米而不是3納米。

據(jù)臺灣媒體報道，臺積電很難保證3納米的預(yù)期良率，并多次修改技術(shù)路線。然而，三星在臺積電方面也遇到了同樣的情況。盡管三星聲稱3納米準(zhǔn)備試生產(chǎn)，但良率仍然太低，推遲了大規(guī)模生產(chǎn)過程。韓國市場分析師表示，除非三星為7納米或更先進(jìn)的工藝技術(shù)獲得更多客戶，否則投資者對三星業(yè)績的信心可能會增加。