国产精品久久精品牛牛影视-国产精品久久精品视-国产精品久久九九-国产精品久久久-国产精品久久久99

大型半導(dǎo)體設(shè)備制造商推出了許多創(chuàng)新技術(shù)，幫助客戶使用極紫外線（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，展示行業(yè)最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。
芯片制造商正試圖通過兩種相互匹配的方式來增加未來幾年的晶體管密度。一是遵循傳統(tǒng)摩爾定律的2D使用微縮技術(shù)EUV減小線寬的微影系統(tǒng)和材料工程。另一種是優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)（DTCO）與3D在不改變微影間距的情況下，巧妙地通過優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度。

芯片采購網(wǎng)專注于整合國內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購方便IC芯片，國內(nèi)專業(yè)芯片采購平臺。

第二種方法是利用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)和環(huán)繞閘極晶體管D微縮技術(shù)逐漸下降，預(yù)計(jì)未來將有效提高邏輯單元密度的比率。這些方法可以幫助芯片制造商提高下一代邏輯芯片的功率、效率、單位面積、成本和上市時(shí)間（PPACt）。
半導(dǎo)體資深副總裁、半導(dǎo)體產(chǎn)品業(yè)務(wù)集團(tuán)總經(jīng)理帕布（Prabu Raja）表示應(yīng)用材料的策略是成為PPACt推動公司（PPACt enablement company），因此，今天發(fā)布的七項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)的目的是幫助客戶使用它們EUV以持續(xù)進(jìn)行2D微縮。我們也詳細(xì)說明了GAA晶體管的制造模式及今天FinFET晶體管有什么區(qū)別，應(yīng)用材料準(zhǔn)備好了？GAA制造提供了行業(yè)內(nèi)最完整的產(chǎn)品組合，包括雷晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟和兩種新的集成材料解決方案（Integrated Materials Solutions），產(chǎn)生合適的GAA閘極氧化層和金屬閘極。
極紫外光（EUV）隨著微影技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造商可以實(shí)現(xiàn)更小的線寬和更高的晶體管密度。然而，芯片工藝的不斷縮小使EUV技術(shù)面臨重大挑戰(zhàn)，帶動新的沉積、蝕刻和測量技術(shù)需求。
EUV光阻劑顯影后，必須通過一系列中介層(又稱轉(zhuǎn)移層和硬光罩)蝕刻芯片圖案，才能將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上。目前，這些薄層采用旋轉(zhuǎn)技術(shù)沉積，專門推出應(yīng)用材料EUV設(shè)計(jì)的Stensar先進(jìn)的圖案薄膜（Advanced Patterning Film），使用應(yīng)用材料Precision化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)。與旋轉(zhuǎn)沉積技術(shù)相比，應(yīng)用材料CVD薄膜可以幫助客戶調(diào)整EUV硬光罩層的厚度和蝕刻彈性使轉(zhuǎn)移到整個(gè)晶圓EUV圖案幾乎完美均勻。
還詳細(xì)介紹了應(yīng)用材料Sym3 Y蝕刻系統(tǒng)的特殊功能可以使客戶在同一反應(yīng)室中蝕刻和沉積材料，從而改善晶圓上的蝕刻EUV圖案。Sym反應(yīng)室會小心地移除EUV光阻劑，然后以特殊的方式重新沉積材料，以減少由隨機(jī)誤差引起的圖案偏差。改善后的EUV圖案可以提高良率、芯片功率和效率。身為DRAM最大的導(dǎo)體材料蝕刻系統(tǒng)供應(yīng)商，應(yīng)用材料Sym該技術(shù)不僅廣泛應(yīng)用于內(nèi)存，而且迅速受到晶圓OEM/邏輯工藝客戶的青睞。
還展示了應(yīng)用材料PROVision電子束（eBeam）測量技術(shù)，可穿透芯片的多層結(jié)構(gòu)，準(zhǔn)確測量整個(gè)晶圓EUV圖案線寬，幫助客戶解決邊緣放置問題（edge placement）錯(cuò)誤，這是其他測量技術(shù)無法做到的。2021年，應(yīng)用材料電子束系統(tǒng)收入增長近一倍，成為電子束技術(shù)最大的供應(yīng)商。
新興的GAA晶體管反映了客戶如何使用3D設(shè)計(jì)技術(shù)和DTCO加強(qiáng)2的布局創(chuàng)新D因此，即使是2D微縮技術(shù)仍能快速提高邏輯密度。創(chuàng)新的材料工程解決方案也得到了改進(jìn)GAA晶體管的功率和效率。
在FinFET在中間，晶體管電路徑的垂直通道由微影和蝕刻形成，可能導(dǎo)致通道寬度和通道表面粗糙度不均勻，從而對功率和效率產(chǎn)生負(fù)面影響，除鰭高物理限制外，Integra代理客戶轉(zhuǎn)向GAA主要原因之一。
GAA晶體管類似于旋轉(zhuǎn)90度的晶體管FinFET晶體管使通道水平而不垂直。GAA該通道由雷晶和選擇性材料去除技術(shù)組成，使客戶能夠準(zhǔn)確地設(shè)計(jì)寬度和均勻性，從而達(dá)到最佳的功率和效率。應(yīng)用材料推出的第一款產(chǎn)品是雷晶系統(tǒng)，從此一直是市場領(lǐng)導(dǎo)者。2016年推出應(yīng)用材料Selectra該系統(tǒng)開創(chuàng)了選擇性材料去除技術(shù)的先例，是市場的領(lǐng)導(dǎo)者。到目前為止，客戶使用了1000多個(gè)反應(yīng)室。
制造GAA晶體管的主要挑戰(zhàn)之一是通道之間的空間只有10奈米左右，客戶必須在有限的空間內(nèi)氧化多層閘極（gate oxide）信道四面沉積著金屬閘極堆棧。
為閘極氧化層堆棧開發(fā)應(yīng)用材料IMS（Integrated Materials Solution）系統(tǒng)。較薄的閘極氧化層可以產(chǎn)生更高的驅(qū)動電流和晶體管效率。然而，較薄的閘極氧化層通常會導(dǎo)致更高的泄漏電流，從而浪費(fèi)功耗和熱能。
新的應(yīng)用材料IMS等效氧化厚度降低1.5埃（angstrom），使設(shè)計(jì)師在不增加閘極漏電的情況下提高效率，或在保持效率不變的情況下將閘極漏電降低10倍以上。該系統(tǒng)沉積了原子層（ALD）、高真空系統(tǒng)集成了熱處理步驟、電漿處理步驟和測量技術(shù)。
應(yīng)用材料也用于展示GAA金屬閘極堆棧工程設(shè)計(jì)IMS該系統(tǒng)允許客戶改變閘門的厚度，以調(diào)整晶體管的閾值電壓，以滿足從電池供電到高效服務(wù)器的特殊操作和應(yīng)用的每瓦效率目標(biāo)。它可以在高真空中執(zhí)行高精度金屬ALD實(shí)現(xiàn)預(yù)防空氣污染的目標(biāo)。