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提供碳化硅基礎(chǔ)（SiC）和氮化鎵（GaN）耐高溫、長(zhǎng)壽命、高效、緊湊型驅(qū)動(dòng)電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOIDS. A.（CISSOID）,重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限公司是第三代芯片設(shè)計(jì)、設(shè)備研發(fā)、模塊制造和系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商，今天，雙方已經(jīng)建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率設(shè)備在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G充分發(fā)揮通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域，提供高質(zhì)量的高功率密度和高溫應(yīng)用系統(tǒng)解決方案。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商的現(xiàn)DigiInternational代理貨物資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢(xún)，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

第三代寬帶半導(dǎo)體（如碳化硅）越來(lái)越成熟和大規(guī)模商業(yè)化，在幾乎所有電力電子領(lǐng)域，逐漸取代基于硅的電力設(shè)備，進(jìn)入電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、船舶、太陽(yáng)能、風(fēng)能、電網(wǎng)、儲(chǔ)能等應(yīng)用。用碳化硅功率器件代替硅基IGBT最初的好處是減少體積，提高效率；更重要的進(jìn)步將充分發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，從而實(shí)現(xiàn)原體硅IGBT難以實(shí)現(xiàn)或根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用程序?yàn)橄到y(tǒng)應(yīng)用程序設(shè)計(jì)師提供了新的擴(kuò)展空間。

圖1法國(guó)技術(shù)市場(chǎng)趨勢(shì)調(diào)查公司YOLE預(yù)測(cè)功率器件結(jié)溫的預(yù)測(cè)

超越傳統(tǒng)體硅IGBT電力電子應(yīng)用能力的重要性體現(xiàn)在兩個(gè)主要方面：一是在高功率密度應(yīng)用中，電力設(shè)備本身的溫升使設(shè)備耐溫性的選擇和熱管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)尤為重要；二是由于應(yīng)用環(huán)境和成本的影響，許多高溫環(huán)境應(yīng)用通常沒(méi)有液體冷卻條件，從而測(cè)試設(shè)備本身的耐溫性和高溫工作壽命。因此，高溫半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)于第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。

重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限公司（Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)平創(chuàng)半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)，特別是碳化硅SiC、氮化鎵GaN以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為代表，公司擁有強(qiáng)大的功率芯片/功率IC/電力設(shè)備設(shè)計(jì)研發(fā)能力，以及完善的電力模塊研發(fā)生產(chǎn)系統(tǒng)，為電力電子行業(yè)提供完整的電力系統(tǒng)解決方案。

CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換和信號(hào)調(diào)整提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制解決方案。兩家公司的合作將有助于充分發(fā)揮雙方的優(yōu)勢(shì)，為我國(guó)電力電子應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的高功率密度、高溫產(chǎn)品和解決方案。

高功率密度和高溫應(yīng)用一直是電力電子行業(yè)的重大挑戰(zhàn)和發(fā)展方向之一。平創(chuàng)半導(dǎo)體總經(jīng)理陳顯平博士說(shuō)：碳化硅功率器件在高功率密度和高溫應(yīng)用中必須配備相當(dāng)于高溫等級(jí)的驅(qū)動(dòng)芯片和電路，CISSOID公司的高溫‘絕緣層硅’（Silicon On Insulator，SOI）裝置恰好是這個(gè)任務(wù)。SiC固有的耐高溫性耐高溫性和高溫性SOI集成電路是一想的搭配，可以充分發(fā)揮作用SiC功率裝置的性能。我們非常榮幸CISSOID公司開(kāi)展深入合作，共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高功率密度、高溫產(chǎn)品和解決方案。”

我們很榮幸與平創(chuàng)半導(dǎo)體公司進(jìn)行深入合作。他們強(qiáng)大的功率設(shè)備設(shè)計(jì)能力和完善的功率模塊研發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)給我們留下了深刻的印象。”CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delette我們與平創(chuàng)半導(dǎo)體的密切合作將致力于開(kāi)發(fā)新的包裝設(shè)計(jì)，使碳化硅功率器件和耐高溫性SOI驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合更緊密，盡量減少寄生電感，使碳化硅裝置的性能發(fā)揮到極致，使整體方案更加精致，便于高密度緊湊安裝，為各電力電子領(lǐng)域提供高溫高功率密度應(yīng)用產(chǎn)品及解決方案。”

Yole Development市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告(圖1)顯示，自硅基功率半導(dǎo)體器件誕生以來(lái)，應(yīng)用需求一直在上升，目前已達(dá)到150℃。隨著諸如SiC第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，日益成熟，全面商業(yè)化，其獨(dú)特的耐高溫性能正在加速目前150的結(jié)溫℃邁向175℃，未來(lái)將進(jìn)軍200℃。

借助于SiC其獨(dú)特的耐高溫性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，將極大地改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)模式，大力促進(jìn)高功率密度和高溫應(yīng)用的發(fā)展。這些典型的高溫和高功率密度應(yīng)用正在廣泛進(jìn)入我們的生活，包括深度集成的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成、多電和全電動(dòng)飛機(jī)，甚至電動(dòng)飛機(jī)、移動(dòng)儲(chǔ)能充電站和充電寶，以及其他嚴(yán)重限制液體冷卻的電力和電子應(yīng)用。