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提供碳化硅基礎(chǔ)（SiC）和氮化鎵（GaN）耐高溫、長壽命、高效、緊湊型驅(qū)動電路和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOIDS. A.（CISSOID）,重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限公司是第三代芯片設(shè)計、設(shè)備研發(fā)、模塊制造和系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商，今天，雙方已經(jīng)建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用研發(fā)項目，使碳化硅功率設(shè)備在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G充分發(fā)揮通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域，提供高質(zhì)量的高功率密度和高溫應(yīng)用系統(tǒng)解決方案。

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第三代寬帶半導(dǎo)體（如碳化硅）越來越成熟和大規(guī)模商業(yè)化，在幾乎所有電力電子領(lǐng)域，逐漸取代基于硅的電力設(shè)備，進入電動汽車、軌道交通、船舶、太陽能、風(fēng)能、電網(wǎng)、儲能等應(yīng)用。用碳化硅功率器件代替硅基IGBT最初的好處是減少體積，提高效率；更重要的進步將充分發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，從而實現(xiàn)原體硅IGBT難以實現(xiàn)或根本無法實現(xiàn)的應(yīng)用程序為系統(tǒng)應(yīng)用程序設(shè)計師提供了新的擴展空間。

圖1法國技術(shù)市場趨勢調(diào)查公司YOLE預(yù)測功率器件結(jié)溫的預(yù)測

超越傳統(tǒng)體硅IGBT電力電子應(yīng)用能力的重要性體現(xiàn)在兩個主要方面：一是在高功率密度應(yīng)用中，電力設(shè)備本身的溫升使設(shè)備耐溫性的選擇和熱管理系統(tǒng)的設(shè)計尤為重要；二是由于應(yīng)用環(huán)境和成本的影響，許多高溫環(huán)境應(yīng)用通常沒有液體冷卻條件，從而測試設(shè)備本身的耐溫性和高溫工作壽命。因此，高溫半導(dǎo)體技術(shù)對于第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。

重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限公司（Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以下簡稱平創(chuàng)半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)，特別是碳化硅SiC、氮化鎵GaN以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為代表，公司擁有強大的功率芯片/功率IC/電力設(shè)備設(shè)計研發(fā)能力，以及完善的電力模塊研發(fā)生產(chǎn)系統(tǒng)，為電力電子行業(yè)提供完整的電力系統(tǒng)解決方案。

CISSOID公司來自比利時，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換和信號調(diào)整提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制解決方案。兩家公司的合作將有助于充分發(fā)揮雙方的優(yōu)勢，為我國電力電子應(yīng)用領(lǐng)域提供先進的高功率密度、高溫產(chǎn)品和解決方案。

高功率密度和高溫應(yīng)用一直是電力電子行業(yè)的重大挑戰(zhàn)和發(fā)展方向之一。平創(chuàng)半導(dǎo)體總經(jīng)理陳顯平博士說：碳化硅功率器件在高功率密度和高溫應(yīng)用中必須配備相當(dāng)于高溫等級的驅(qū)動芯片和電路，CISSOID公司的高溫‘絕緣層硅’（Silicon On Insulator，SOI）裝置恰好是這個任務(wù)。SiC固有的耐高溫性耐高溫性和高溫性SOI集成電路是一想的搭配，可以充分發(fā)揮作用SiC功率裝置的性能。我們非常榮幸CISSOID公司開展深入合作，共同開發(fā)先進的高功率密度、高溫產(chǎn)品和解決方案�！�

我們很榮幸與平創(chuàng)半導(dǎo)體公司進行深入合作。他們強大的功率設(shè)備設(shè)計能力和完善的功率模塊研發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)給我們留下了深刻的印象�！盋ISSOID首席技術(shù)官Pierre Delette我們與平創(chuàng)半導(dǎo)體的密切合作將致力于開發(fā)新的包裝設(shè)計，使碳化硅功率器件和耐高溫性SOI驅(qū)動電路結(jié)合更緊密，盡量減少寄生電感，使碳化硅裝置的性能發(fā)揮到極致，使整體方案更加精致，便于高密度緊湊安裝，為各電力電子領(lǐng)域提供高溫高功率密度應(yīng)用產(chǎn)品及解決方案。”

Yole Development市場調(diào)查報告(圖1)顯示，自硅基功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直在上升，目前已達(dá)到150℃。隨著諸如SiC第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，日益成熟，全面商業(yè)化，其獨特的耐高溫性能正在加速目前150的結(jié)溫℃邁向175℃，未來將進軍200℃。

借助于SiC其獨特的耐高溫性和低開關(guān)損耗優(yōu)勢，將極大地改變電力系統(tǒng)的設(shè)計模式，大力促進高功率密度和高溫應(yīng)用的發(fā)展。這些典型的高溫和高功率密度應(yīng)用正在廣泛進入我們的生活，包括深度集成的電動汽車動力總成、多電和全電動飛機，甚至電動飛機、移動儲能充電站和充電寶，以及其他嚴(yán)重限制液體冷卻的電力和電子應(yīng)用。