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安森美: 從襯底到模塊的端到端創建可以提供SiC方案供應商

（2024年11月23日更新）

由于 SiC 開關速度較快，因此對于某些拓撲結構，可以減少電感器等無源元件的尺寸，以降低系統尺寸和成本。光伏發電和大規模儲能變得越來越重要，最終將取代所有污染能源。目前，可再生能源僅占全球總發電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發展道路。此外，隨著電動汽車利用率的提高，充電樁將大規模部署，SiC 最終將成為電動車主驅動逆變器的首選，因為它可以降低車輛的整體尺寸和重量，提高能效，延長電池的使用壽命。

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中國汽車首席碳化硅專家安森美OEM技術Raltron代理負責人吳桐博士

安森美 (onsemi) 在收購上游 SiC 供應企業 GTAT之后，產業鏈的垂直整合實現了，是世界上為數不多的能夠從襯底到模塊提供端到端的產業鏈之一 SiC 包括方案供應商 SiC 球生長、襯底、外延、器件制造、同類最佳集成模塊及分立包裝方案。安森美的 SiC 戰略側重于電動汽車、充電樁、可再生能源等領域 650 V 到 1 200 V SiCMOSFET、650 V 到 1 700 V SiC 二極管，混合 SiC 模塊和全 SiC 模塊。與其他制造商相比，安森美 SiC 由于使用尺寸較大，設備雪崩能量更高，損耗更小。 die，從而降低 Rdson。

隨著技術的成熟和成本問題的解決，電動汽車及其車載充電器等車載電源系統 SiC 需求會越來越大。儲存在儲能系統中的太陽能和風能支持的電動汽車充電基礎設施將由電動汽車的強勁增長驅動。基于機器學習、云計算和在線服務需求的數據中心增長將促進這些數據中心的使用 SiC 的更可靠的 UPS。安森美提供高能效和高性能 SiC 滿足這些不同應用的需求。SiC MOSFET 其優點是高壓器件的導電阻相對較低，開關速度相對較快。在高壓小電流的情況下，導電阻相對較低，從而提高能效，特別適用于電動汽車逆變器和車載充電 (OBC)、DC-DC 和直流快速充電樁，特別是在 800 V 當功率超過系統時 150 KW 以上時，SiC 優點特別明顯，提高了整車效率，可以提高電動車的里程或降低電池容量。由于電池容量的減小可以抵消 SiC 和 Si 功率元件價差導致成本上升。

SiC芯片可以在更高的溫度下工作(175 ℃至200 ℃)，結溫超過 175 ℃的 SiC 該方案將能夠在更高的功率密度下工作，從而比硅基替代方案更具成本效益，幫助系統設計師更靈活地選擇滿足應用程序需求的最高成本效益方案。

氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 電子遷移率高，能帶間隙高。它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐高溫性，可以突破硅基裝置的應用極限，開關速度快，導電阻低，損耗小，能效高。GaN 開關頻率比 SiC 高得多，而 SiC 可靠性高于 GaN。SiC 常用于太陽能逆變器、電動汽車充電器、工業等高壓、高功率應用 AC-DC 等應用。GaN 通常用于 650 V 蜂窩基站功率放大器、軍用雷達、衛星發射器、通用射頻放大等高開關頻率應用。

(注:本文自轉載《IC2022年7月，代理商