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中國芯片傳來好消息，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

（2024年11月23日更新）

中國芯片傳來好消息，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷。目前已完成192層3層D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底大規(guī)模生產(chǎn)交付。

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長江存儲一直是中國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)。自成立以來，它一直保持著快速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。短短三年，連續(xù)推出32層NAND閃存，64層堆棧3D NAND閃存成功進(jìn)入華為Mate40手機(jī)供應(yīng)鏈。然后為了縮短和三星，SK長江存儲直接跨越96層，直接進(jìn)入128層3D NAND 閃存的研發(fā)于2020年正式宣布，是行業(yè)奇跡般的崛起，擁有全領(lǐng)域最高單位面積的存儲密度。這些，長江存儲只用了三年時間就完成了同一領(lǐng)域需要六年時間的道路。

知識淵博的朋友應(yīng)該知道，三星存儲芯片的最高層數(shù)是192層，即世界頂級水平。超過200層，韓國三星未能突破技術(shù)瓶頸，無法達(dá)到批量生產(chǎn)水平。此前，長江已存放推出了UFS3.閃存芯片一般規(guī)格--UC要知道，在這方面，NAND閃存的最高規(guī)格是閃存的最高規(guī)格US3.1.至于更高更先進(jìn)，韓國三星只存在于理論層面，沒有技術(shù)支持。那么，這意味著什么呢？

科技是第一生產(chǎn)力，創(chuàng)新是引領(lǐng)發(fā)展的第一動力。長江存儲的技術(shù)突破引領(lǐng)國家發(fā)展走向更加現(xiàn)代化、科技化的道路。長江存儲的成功離不開自身對科研發(fā)展的熱愛和追求，也離不開國家對科研工作的大力支持。現(xiàn)儲存在長江NAND 閃存芯片被廣泛使用。依托世界上最大的市場中國和中國推動芯片自主化，長江存儲獲得了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。現(xiàn)在，除了華為，長江存儲也進(jìn)入了蘋果供應(yīng)鏈iPhone SE 閃存芯片的供應(yīng)也是中國科技力量的最佳體現(xiàn)。

當(dāng)然，客觀地說，我們在這個領(lǐng)域還有很多地方需要努力。畢竟，中國起步較晚，西方國家惡意封鎖核心技術(shù)，導(dǎo)致我們比普通人付出更多的努力，但從結(jié)果來看，我們?nèi)〉昧丝缭绞降倪M(jìn)步。此外，在行業(yè)內(nèi)，其他廠商的發(fā)展速度不容忽視，三星仍在追趕224層3D閃存芯片的大規(guī)模生產(chǎn)計劃，所以從這個維度來看，我們離世界頂級水平還有1到2年，但我們相信這個差距很快就會消除。

總的來說，長江192層的3層D NAND閃存芯片是中國芯片發(fā)展的里程碑，也意味著國產(chǎn)存儲芯片正在追趕美國Mstar代理在韓國頂尖企業(yè)的道路上，又邁出了一大步，可以推動其他芯片技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。只有掌握科技的核心，才能真正改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式，進(jìn)而影響世界的發(fā)展格局。這些都是我們努力所能做的。弘揚(yáng)科學(xué)精神，傳播科學(xué)思想，是新一代年輕人為社會發(fā)展和人類命運(yùn)共同體建設(shè)做出的貢獻(xiàn)。

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