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半導體和意法MACOM射頻硅基氮化鎵原型成功生產(chǎn)

（2024年11月23日更新）

5月13日，意法半導體和MACOM宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。

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RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大的潛力。金屬氧化物半導體的長期射頻功率技術(shù)橫向擴散(LDMOS)早期射頻功率放大器主導(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS射頻特性較高，輸出功率明顯較高。

此外，它可以是硅或碳化硅(SiC)芯片制造。由于高功率應(yīng)用SiC晶圓及其非主流半導體加工的競爭，RF GaN-on-SiC可能更貴。

目前，意法半導體和MACOM先進射頻交付已開始進一步研究GaN-on-Si產(chǎn)品速度。

半導體功率晶體管集團總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁EdoardoMerli我們相信該技術(shù)已經(jīng)達到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰(zhàn)現(xiàn)有技術(shù)LDMOS和GaN-on-SiC，為大規(guī)模應(yīng)用提供成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢，包括無線基礎(chǔ)設(shè)施和商業(yè)化，將RF GaN-on-Si我們與產(chǎn)品商業(yè)化MACOM下一個重要個重要里程碑。”

意MCC代理法半導體和MACOM合作早有淵源。

2018年2月，MACOM和法半導體宣布硅上氮化鎵GaN合作開發(fā)協(xié)議。意大利半導體MACOM在硅上制造氮化鎵射頻芯片。

2019年3月，MACOM和法半導體(ST)2019年宣布擴大ST工廠在150mm硅基氮化鎵產(chǎn)能，200mm硅基氮化鎵根據(jù)需求擴產(chǎn)。擴產(chǎn)計劃旨在支持世界5G基于2018年初的電信網(wǎng)建設(shè)MACOM和ST已公布的硅基氮化鎵協(xié)議。

近日，意大利半導體發(fā)布了2022年第一季度財務(wù)報告。報告期內(nèi)，公司凈收入為35.5億美元(約合人民幣238.68億元)，年增長17.6%，毛利率46.7%，年增長770個基點。凈利潤7.47億美元(約50.22億元人民幣)，年增長105.1%。