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一段時(shí)間前，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3層D NAND閃存已送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，自成立以來(lái)一直保持著快速發(fā)展。

2016年成立，2017年推出32層NAND閃存。2019年推出64層堆棧3D NAND閃存成功進(jìn)入華為Mate40手機(jī)供應(yīng)鏈。

縮短三星，SK海力士、鎧俠等6層，直接進(jìn)行了海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距Sharp代理128層3D NAND 閃存研發(fā)，并于2020年正式宣布研發(fā)成功，是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積的存儲(chǔ)密度I/O傳輸速度和最高單個(gè)NAND 閃存芯片容量。

長(zhǎng)江儲(chǔ)存僅用了3年時(shí)間，就實(shí)現(xiàn)了從32層到128層的跨越，完成了同領(lǐng)域企業(yè)6年走過(guò)的道路。

4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了高速公路UFS 3.與目前最好的大廠相比，閃存芯片的性能完全不落后。

例如，業(yè)內(nèi)最好的三星UFS 3.512閃存芯片GB版讀取速度2100MB/s，寫(xiě)入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s，寫(xiě)入速度1250MB/s，可以說(shuō)仲，兩款芯片都處于行業(yè)頂級(jí)水平。

美光去年發(fā)布了176層UFS 3.1閃存，但讀取速度只有1.5萬(wàn)MB/s，但是寫(xiě)入速度沒(méi)有公布，估計(jì)是因?yàn)樾阅軟](méi)有優(yōu)勢(shì)。所以長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存芯片已經(jīng)很優(yōu)秀了。

此外，據(jù)業(yè)內(nèi)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也進(jìn)入蘋(píng)果供應(yīng)鏈iPhone SE 閃存芯片的供應(yīng)也是最好的證明。

當(dāng)然，從時(shí)間維度來(lái)看，我們還是落后的，比如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片，但我們起步較晚，目前取得了快速進(jìn)展。

當(dāng)然，從行業(yè)的角度來(lái)看，其他廠商也在加大研發(fā)力度。比如美光最近發(fā)布了行業(yè)第一個(gè)232層3D閃存芯片有望在年底或明年開(kāi)始量產(chǎn)。

三星還發(fā)布了224層3D閃存芯片也預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)。

此外，三星還宣布已開(kāi)發(fā)出來(lái)UFS 4.0閃存芯片，每個(gè)通道的帶寬速度增加到23.2Gbps，是UFS 3.基于三星第七代的兩倍V-NAND閃存和自主研控可達(dá)4200MB/s順序讀取速度和達(dá)2800MB/s寫(xiě)入速度是當(dāng)今性能最高的閃存芯片。

因此，從相似規(guī)格或相似性能的角度來(lái)看，我們的國(guó)產(chǎn)閃存芯片仍落后世界頂級(jí)水平1-2年。但我相信用不了多久就能趕上這個(gè)差距。

除了技術(shù)，國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能也略有不足。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已將月產(chǎn)量擴(kuò)大到10萬(wàn)片晶圓，隨著武漢工廠二期工程建設(shè)，預(yù)計(jì)到2023年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)量可能超過(guò)20萬(wàn)片，全球市場(chǎng)份額有望達(dá)到7-8%。但與大型工業(yè)制造商相比，仍有很大的差距。

總之，192層3D NAND閃存芯片將是長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展的里程碑，也意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片在追趕美國(guó)和韓國(guó)頂級(jí)企業(yè)的道路上邁出了一大步。在這個(gè)領(lǐng)域，我們不再需要害怕外國(guó)的壓制和封鎖，也不會(huì)有脖子卡住的問(wèn)題。