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X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具BCD-on-SOI其中包含了工藝

（2024年11月27日更新）

全MXIC代理球公認的優秀模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB)最近宣布擴大其SubstrateXtractor該工具的應用范圍允許用戶使用該工具檢查不需要的襯底耦合效應。作為世界上第一個BCD-on-SOI該工藝提供此類分析功能的OEM，X-FAB把這個初始面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝開發工具增加了其對XT018 180nm BCD-on-SOI以工藝為支撐Bulk CMOS工藝外的補充。使用新的SubstrateXtractor可以加速升級版本SOI避免多次迭代，開發相關產品。

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最初的SubstrateXtractor由X-FAB與EDA合作伙伴PN Solutions(基于其廣泛使用PNAware合作開發產品，2019年發布。利用這個工具，客戶可以解決半導體襯底中有源和無源元件之間的耦合問題（無論這些元件是電路本身的一部分還是寄生的）——其顯著優勢使客戶的項目更快地進入市場。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI該工藝進一步增強了平臺的功能，擴大了平臺的吸引力。

圖為X-FAB工程師正在使用襯底耦合分析工具

X-FAB的XT018工藝BOX/DTI該功能可以隔離芯片上的組成功能模塊，適用于需要與數字模塊耦合的敏感模擬模塊，或必須與高壓驅動電路隔離的低噪聲放大器。該過程也使多通道設計更容易實現XT018中的電路有效地放置在自身獨立的襯底中，從而減少串擾。

在基于SOI在集成電路中使用SubstrateXtractor對客戶來說，實現襯底耦合分析的能力是非常有價值的。雖然SOI工藝中的有源部分可以通過BOX和DTI完全介電隔離，有源部分隔離就像孤立，但無源R和C耦合仍然可能存在。由于這個新的升級工具，它可以被視為DTI和BOX水平和垂直耦合路徑提取無源RC通過模擬無源耦合網絡，評估網絡對集成電路的影響。這生的關鍵應用，包括工業和汽車系統中使用的大電流和高壓設備。

消除襯底耦合是一項具有挑戰性的任務。支持我們XT018 BCD-on-SOI提取與工藝相關的寄生元素，客戶將能夠模擬電路模塊的耦合，識別對性能不利的干擾因素�！盭-FAB設計支持總監Lars Bergmann涉及非常大的干擾電壓或個位數GHz在高頻范圍內，此功能擴展將具有重要意義。”

縮略語：

BOX 埋地氧化物

BCD Bipolar CMOS DMOS

DTI 深槽隔離

EDA 自動化電子設計

RC 電阻-電容

SOI 絕緣體上硅