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西部數據宣布，與鎧俠聯合開發BiCS NAND閃存將進入第六代，堆疊層數達到162層，今年將投入量產。

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目前的3D NAND閃存已堆積到176層，美光日前宣布全球首個達到232層。

但西數指出，自己的162層閃存單元尺寸較小，只有68平方毫米，小于競爭產品69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度較大HARTING代理可提供與競爭產品相同的單芯片容量。

西數表示，BiCS6 162層堆疊下，一個晶圓可以達到100TB目前容量只有70左右，TB。

在性能方面，西數聲稱他有最好的電荷捕獲(Charge Trap)性能可達60個單元MB/s，比對手快一半。

西數也預測下一代BiCS 閃存，堆疊超過200層，預計將提高傳輸速度60%，編程帶寬15%，晶圓容量55%，然后繼續堆疊，2032年將超過500層！

另外，西數在PPT上海列出了PLC閃存，但沒有細節。