西數(shù)將量產(chǎn)162層閃存：100個(gè)晶圓容量TB
（2024年11月23日更新）
西部數(shù)據(jù)宣布，與鎧俠聯(lián)合開(kāi)發(fā)BiCS NAND閃存將進(jìn)入第六代，堆疊層數(shù)達(dá)到162層，今年將投入量產(chǎn)。
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目前的3D NAND閃存已堆積到176層，美光日前宣布全球首個(gè)達(dá)到232層。
但西數(shù)指出，自己的162層閃存單元尺寸較小，只有68平方毫米，小于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲(chǔ)密度較大HARTING代理可提供與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相同的單芯片容量。
西數(shù)表示，BiCS6 162層堆疊下，一個(gè)晶圓可以達(dá)到100TB目前容量只有70左右，TB。
在性能方面，西數(shù)聲稱(chēng)他有最好的電荷捕獲(Charge Trap)性能可達(dá)60個(gè)單元MB/s，比對(duì)手快一半。
西數(shù)也預(yù)測(cè)下一代BiCS 閃存，堆疊超過(guò)200層，預(yù)計(jì)將提高傳輸速度60%，編程帶寬15%，晶圓容量55%，然后繼續(xù)堆疊，2032年將超過(guò)500層！
另外，西數(shù)在PPT上海列出了PLC閃存，但沒(méi)有細(xì)節(jié)。
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