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據(jù)外媒Tomshardware一家俄羅斯研究機(jī)構(gòu)正在研究和開(kāi)發(fā)自己的半導(dǎo)體微影光刻設(shè)備，預(yù)計(jì)該設(shè)備將用于生產(chǎn)7納米工藝芯片。整個(gè)計(jì)劃預(yù)計(jì)將于2028年完成，一旦完成，其設(shè)備可能會(huì)比較ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開(kāi)發(fā)Twinscan NXT:2000i超過(guò)10年。

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報(bào)告稱(chēng)，俄羅斯政府已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)國(guó)家計(jì)劃，到2030年開(kāi)發(fā)自己的28納米工藝技術(shù)，并盡可能利用外國(guó)芯片進(jìn)行逆向工程，培養(yǎng)當(dāng)?shù)厝瞬艔氖聡?guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)。

根據(jù)俄羅斯發(fā)表的計(jì)劃，俄羅斯科學(xué)院下屬的俄羅斯應(yīng)用物理研究Infineon代理所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）預(yù)計(jì)到2028年開(kāi)發(fā)批量生產(chǎn)具有7納米制造能力的微影光刻設(shè)備。

報(bào)告指出，俄羅斯將開(kāi)發(fā)大規(guī)模生產(chǎn)的設(shè)備ASML或NIKON公司生產(chǎn)的微影光設(shè)備不同。例如，IAP計(jì)劃使用600以上W曝光波長(zhǎng)為11的光源.3nm（EUV波長(zhǎng)為13.5納米)，需要比現(xiàn)在更復(fù)雜的光學(xué)元件。由于設(shè)備的光源功率相對(duì)較低，工具體積更緊湊，因此更容易制造。但這也意味著其微影光刻設(shè)備的芯片產(chǎn)量將遠(yuǎn)低于現(xiàn)代深紫外線（DUV）微影光刻設(shè)備。但I(xiàn)AP這不會(huì)是問(wèn)題。

目前，32納米以下的工藝技術(shù)是制造商主流使用的所謂沉浸式微影光刻設(shè)備。ASML2003年底推出首款沉浸式微影光刻設(shè)備-Twinscan XT:1250i，生產(chǎn)65納米邏輯芯片和70納米納米邏輯芯片和70納米等級(jí)的設(shè)備DRAM。之后，該公司花了大約5年時(shí)間在2008年底宣布支持32納米Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻設(shè)備于2009年交付給客戶。

上述說(shuō)明代表了當(dāng)前技術(shù)領(lǐng)先者ASML在2018年交付支持7納米和5納米工藝大約需要9年時(shí)間Twinscan NXT:2000i DUV微影光ASML從65納米制程到7納米制程的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程來(lái)看，總共需要14年的時(shí)間。

目前，俄羅斯沒(méi)有芯片生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)或與芯片制造商沒(méi)有聯(lián)系IAP，我計(jì)劃在大約6年內(nèi)從零開(kāi)始制造一套支持7納米工藝的微影光刻設(shè)備，并進(jìn)一步批量生產(chǎn)。雖然這個(gè)計(jì)劃聽(tīng)起來(lái)不可行，但看起來(lái)不可行IAP但充滿了熱情。

根據(jù)發(fā)展時(shí)程，IAP計(jì)劃在2024年之前建造功能齊全的第一代微影光刻設(shè)備。該微影光刻設(shè)備不需要提供高生產(chǎn)率或最大分析，但必須能夠運(yùn)行，以吸引潛在投資者。之后，IAP計(jì)劃在2026年之前制作具有較高生產(chǎn)力和分析度的微影光刻設(shè)備測(cè)試版。這臺(tái)機(jī)器應(yīng)能量產(chǎn)晶圓，但預(yù)計(jì)其生產(chǎn)力不會(huì)達(dá)到最大。至于俄羅斯計(jì)劃的最終版本的微影光刻設(shè)備將于2028年推出，它不僅可以獲得高性能光源，而且具有更好的計(jì)算測(cè)量和整體能力。然而，目前尚未公布。IAP與其生產(chǎn)合作伙伴將生產(chǎn)多少套此類(lèi)設(shè)備。