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NXP
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PSMN069-100YS,115 圖片
  • 制造廠商:NXP(恩智浦)
  • 類別封裝:單端場效應管,LFPAK56
  • 技術參數:MOSFET N-CH LFPAK
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PSMN069-100YS,115 技術參數詳情:
  • NXP恩智浦完整型號:PSMN069-100YS,115
  • 制造商:NXP(恩智浦半導體)
  • 描述:MOSFET N-CH LFPAK
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):17A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):72.4 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):645pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:56W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供應商器件封裝:LFPAK56, Power-SO8
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