
- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:單端場效應管,6-DFN2020MD
- 技術參數:MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
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PMPB215ENEAX 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號:PMPB215ENEAX
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 描述:MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
- 系列:-
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):80V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.9A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):230 毫歐 @ 1.9A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.2nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):215pF @ 40V
- 功率 - 最大值:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:6-DFN2020MD (2x2)
- PMPB215ENEAX優勢代理貨源,國內領先的NXP芯片采購服務平臺。
