- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:場效應管陣列,6-TSSOP
- 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
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PMGD370XN,115 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號:PMGD370XN,115
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
- 系列:TrenchMOS?
- FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):740mA
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):440 毫歐 @ 200mA,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):650nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):37pF @ 25V
- 功率 - 最大值:410mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商器件封裝:6-TSSOP
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