產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：FET - 陣列，6-XFDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
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PMDXB1200UPEZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號: PMDXB1200UPEZ
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 功能總體簡述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
- 系列: -
- FET 類型: 2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能: 標準
- 漏源極電壓（Vdss）: 30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 410mA
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 1.4 歐姆 @ 410mA，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 1.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 43.2pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 285mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: 6-XFDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝: DFN1010B-6
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