- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:場效應管陣列,6-HUSON
- 技術參數:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
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PMCPB5530X,115 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號:PMCPB5530X,115
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
- 系列:-
- FET 類型:N 和 P 溝道
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):20V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):5.3A,3.4A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):34 毫歐 @ 3A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):21.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):660pF @ 10V
- 功率 - 最大值:490mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2)
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