- 制造廠商:NXP(恩智浦)
- 類別封裝:場效應管陣列,LFPAK56D
- 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
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BUK7K5R1-30E,115 技術參數詳情:
- NXP恩智浦完整型號:BUK7K5R1-30E,115
- 制造商:NXP(恩智浦半導體)
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D
- 系列:-
- FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):40A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 10A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31.1nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2352pF @ 25V
- 功率 - 最大值:68W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-1205, 8-LFPAK56
- 供應商器件封裝:LFPAK56D
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