產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：14-DIP（0.300，7.62mm）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品，美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
JAN2N7334 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：JAN2N7334
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Military, MIL-PRF-19500/597
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：4 個(gè) N 通道
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：700 毫歐 @ 600mA，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：14-DIP（0.300，7.62mm）
- JAN2N7334優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)