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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：TO-205AA，TO-5-3 金屬罐
- 技術參數：NPN TRANSISTOR
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JAN2N5012 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：JAN2N5012
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：NPN TRANSISTOR
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：Military, MIL-PRF-19500/727
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：200mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：700V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：-
- 電流-集電極截止（最大值）：10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：30 @ 25mA，10V
- 功率-最大值：1W
- 頻率-躍遷：-
- 工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-205AA，TO-5-3 金屬罐
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