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- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：場效應管模塊，D3
- 技術參數：MODULE SIC DIODE 1200V 250A D3
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APTMC120AM08CD3AG 技術參數詳情：
- Microsemi美高森美完整型號：APTMC120AM08CD3AG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MODULE SIC DIODE 1200V 250A D3
- 系列：-
- FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：250A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 200A， 20V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 10mA（標準）
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：490nC @ 20V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9500pF @ 1000V
- 功率 - 最大值：1100W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：D3
- 供應商器件封裝：D3
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