- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:場效應(yīng)管模塊,SP3
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
- 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
APTM50DDAM65T3G 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APTM50DDAM65T3G
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
- 系列:-
- FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):500V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):51A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):78 毫歐 @ 25.5A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):140nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):7000pF @ 25V
- 功率 - 最大值:390W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SP3
- 供應(yīng)商器件封裝:SP3
- APTM50DDAM65T3G優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購服務(wù)平臺。
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