
- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:場效應管模塊,SP4
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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APTM50AM38FTG 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APTM50AM38FTG
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
- 系列:POWER MOS 7
- FET 類型:2 個 N 通道(半橋)
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):500V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):90A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):246nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):11200pF @ 25V
- 功率 - 最大值:694W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SP4
- 供應商器件封裝:SP4
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