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Microsemi
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APTM120U10SAG 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:場效應管模塊,SP6
  • 技術參數:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APTM120U10SAG 技術參數詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTM120U10SAG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):116A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 58A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1100nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):28900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3290W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應商器件封裝:SP6
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