產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：美高森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SP3
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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APTM100VDA35T3G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：APTM100VDA35T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：1000V（1kV）
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：22A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：420 毫歐 @ 11A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V
- 功率-最大值：390W
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SP3
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