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Microsemi
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
APTM100DDA35T3G 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:SP3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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APTM100DDA35T3G 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTM100DDA35T3G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV)
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):22A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
  • 功率-最大值:390W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:底座安裝
  • 封裝:SP3
  • APTM100DDA35T3G優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的美高森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Microsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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