- 制造廠商:美高森美
- 類別封裝:場效應管模塊,SP6-P
- 技術參數(shù):MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
- 豐富的美高森美公司產品,美高森美芯片采購平臺
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APTM08TAM04PG 技術參數(shù)詳情:
- Microsemi美高森美完整型號:APTM08TAM04PG
- 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
- 描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P
- 系列:-
- FET 類型:6 N-溝道(3 相橋)
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):75V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):120A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 60A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):153nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4530pF @ 25V
- 功率 - 最大值:138W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SP6
- 供應商器件封裝:SP6-P
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